半导体产业网讯:5月20日下午，半导体发展趋势研讨会暨汉半导体2022年新技术及关键设备发布会在深圳宝安万怡酒店举行。
会议现场
本次大会由深圳市大族半导体设备科技有限公司主办，第三代半导体产业技术创新战略联盟、深圳市半导体行业协会支持。为配合新冠肺炎疫情防控工作，本次新闻发布会采取了线上线下相结合的方式。其中，深圳市科技创新委员会二级巡视员徐建国、季华实验室主任郭如海、大族激光科技产业集团有限公司董事长、深圳市半导体行业协会名誉会长周、深圳大学微电子与半导体制造研究院院长王、第三代半导体产业技术创新战略联盟主席吴凌等。中国半导体行业协会副理事长、国家集成电路封装测试产业链技术创新战略联盟副理事长兼秘书长，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵，厦华田芸半导体科技有限公司董事长俞大全，中电化合物半导体有限公司总经理潘，比亚迪半导体有限公司总经理陈刚，合富卢晓半导体材料有限公司董事长程明，陶， 山东先进技术股份有限公司副总经理刘、株州时代半导体有限公司总工程师等嘉宾，以及来自清华大学、复旦大学、中国电子科技集团第五十五研究所、、中宇、通富微电子、长电集成电路、苏州方静半导体、绍兴SMIC等知名院校的众多合作伙伴 通过线上和线下的方式参加了大会。
对未来的前瞻性信息
一起突破，一起拓展生态圈。
深圳大族半导体设备科技有限公司总经理尹建刚
大会伊始，深圳市大族半导体设备科技有限公司总经理尹建刚首先现场和线上欢迎与会嘉宾。他表示，希望通过会议，大家共同探讨半导体产业的发展趋势和机遇，为中国半导体产业的发展做出更多贡献，把企业做大做强，分享大族半导体近期的研究成果和突破。
第三代半导体产业技术创新战略联盟主席吴凌
由于疫情原因，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴凌通过视频为发布会致辞。她说，现在是在新的地缘政治环境下重塑全球半导体竞争力的关键时期，第三代半导体也是国家安全和产业链安全的底层技术，特别是支持我们国家“双碳”目标的实现和数字化、智能化、高质量发展的重要支撑。通过国家863计划和十三五、十四五的布局支持，解决了很多技术难题，但在可用性方面仍然存在挑战，特别是在关键材料和核心设备方面，还有很大差距。业界也在期待，希望中国第三代半导体能够真正实现全链条自主可控，真正支撑起我们国家和人类社会的绿色低碳可持续发展。吴玲主任对本次研讨会的技术和设备发布表示了期待。
于燮康半导体行业协会副理事长，国家集成电路封装测试产业链技术创新战略联盟副理事长兼秘书长
中国半导体行业协会副理事长、国家集成电路封装测试产业链技术创新战略联盟副理事长兼秘书长余也在通过视频向大会致辞时指出，众多数据表明，在产业政策的支持下，国产半导体设备快速发展，其发展在新时代面临新的机遇和挑战。大族半导体深耕行业多年，希望再接再厉，为国产半导体设备的发展贡献力量。
周深圳市半导体行业协会名誉会长
深圳半导体行业协会名誉会长周在致辞中表示，过去很长一段时间，很多关键材料和设备都依赖国外。近年来，随着国内外形势的变化，工业发展在材料和设备方面面临着巨大的制约和挑战。国内产业要想实现自主可控和更深层次的发展，就需要发展制造业，而国产装备是非常重要的一环。对于很早就开始布局的汉祖半导体等设备公司来说是很好的发展机遇。也相信未来汉祖会继续为民族半导体的发展贡献自己应有的力量。
徐建国科技创新委员会二级巡视员
深圳市科技创新委员会巡视员徐建国在致辞中表示，近年来，面对错综复杂的国内外形势，深圳市委市政府深入实施创新引领战略，深化科技管理体制机制改革，强化科技创新研发能力，不断完善全流程创新生态链，不断增强科技创新的牵引和支撑，努力打造具有全球影响力的国际科技和创新高地。大族半导体一直以行业关键技术研发为目标，不断增强自主创新能力，走出了一条科技型企业高质量发展的代表之路。希望更多像大族这样的优秀企业，建立更多的人才、技术、产业之间的合作，进一步加大对深圳相关产业的帮助和支持，共同助力中国半导体产业的发展。
高云峰大族激光科技产业集团有限公司董事长
大族激光科技产业集团有限公司董事长高云峰对本次会议非常重视。在认真听取了各位嘉宾的发言后，高云峰董事长在发言中表示，半导体产业是一个非常典型的交叉学科，涉及半导体材料、设备、工艺、下游应用、上游设计等。，应用场景广泛，性能需求多样化。互联网企业需要加快科技创新。新型半导体材料与激光技术的结合非常紧密。要突破技术难题，需要多方合力攻关。目前，大族激光拥有世界上最先进的光源，我们非常希望与您合作开发突破。衷心希望未来能有越来越多的同仁加入韩的激光生态圈，携手开发更多的特殊工艺，开拓更多的细分市场，实现互利共赢。
“重磅发布”破解碳化硅锭切割痛点
大族半导体发布SiC晶锭激光切片技术及新设备。
碳化硅具有耐高压、高频、散热好、能耗低等优点，广泛应用于智能电网、光伏储能、轨道交通、电动汽车、工业机电、数据中心、消费电子等领域。从碳化硅器件的制造工艺来看，目前的碳化硅铸锭切割面临着材料损耗大、效率慢、大尺寸铸锭加工、晶圆切割厚度等痛点。研讨会期间，汉半导体发布了激光切片，并隆重推出了其第三代半导体新设备——SiC晶锭激光切片机S-LS6200和SiC超薄晶圆激光切片机S-LS6210。
吴大族半导体董事
大族半导体董事吴对此次发布的最新技术和设备进行了详细的介绍和分析。其中，激光切片在切口损耗、磨削损耗、切片切割、单位铸锭、加工效率等方面优势明显。碳化硅锭激光切片机HSET-S-LS6200采用自主研发的动态超调制高功率飞秒激光系统和自主研发的多维多向自动剥离技术。铸锭支撑厚度5cm，铸锭支撑加工尺寸可达8英寸，可支撑生产成本降低73%。SiC晶片激光切片机HSET-S-LS6210的超薄器件切片技术为100um，可支撑生产成本降低60%。
undefined激光切片
技术优势
碳化硅锭激光切片机HSET-S-LS6200
超薄碳化硅晶片激光切片机HSET-S-LS6210
大半导体国产设备从业者
多方位的设备布局，市场份额领先行业。
长辉大族半导体RD董事
会上，大族半导体RD董事庄昌辉分享了大族半导体设备国产化的发展现状。结合当前半导体行业的产业趋势和激光设备行业的格局，报告介绍了韩半导体多方位的设备布局。目前，汉半导体主要激光产品已覆盖硅半导体、化合物半导体、泛半导体等领域的晶圆制造、前道、封道等传统封装和先进工艺环节。并介绍了韩半导体在表面切割、激光剥离技术、开槽机、IC激光打标机、晶圆打标机、TGV、切割机、光刻机、MiniLED传质修复、晶圆芯片分拣机、AOI等方面的设备和技术进展。，并在所涉及的激光设备领域实现市场占有率和行业领先。目前LED表面切割市场占有率第一，HSET在LED隐切领域市场占有率超过80%。涡轮方面，获得半导体行业领先客户订单，12寸双轴自动批量验证通过，市场份额稳步提升。2022年即将进入中国前三。
其中，汉半导体于2017年推出国内首款激光开槽设备，2018年推出全球首款超快激光开槽技术，2021年推出全球首款3D封装工艺激光开槽设备。在TGV技术方面，2015年实现了飞秒激光冰柱透明脆性材料加工技术的全球首次突破。2019年率先突破TGV技术，实现设备量产。激光切槽+划片机方面，2020年，MP型号GV553将问世，实现晶圆切槽设备国产化。2021年GV5232标准型号兼容全切功能，全切适应芯片超薄趋势。2022年，GV5242是世界上第一台用于晶圆制造的开槽机，配合用于晶圆3D封装工艺的开槽机，实现LG+等离子工艺。2017年首款国产激光开槽设备，2018年全球首款超快激光开槽技术，2021年全球首款3D封装工艺激光开槽设备。自主研发核心多点高效切割系统，实现晶圆超薄工艺全切割功能。2020年，将实现首台国产SDBG切割设备。在Micro-LED传质设备方面，推出了第一台国产激光传质设备，传输效率为10kk。在刀具涡轮方面，DL9212-A刀具涡轮赢得了半导体行业领先客户的订单。12寸双轴自动系统批量验证，市场占有率稳步提升。2022年即将进入中国前三。2022年推出第一台晶圆芯片分选机，总线系统高速，院校稳定，国产化率高，后期维护，备件更换快。
“会议讨论”
多位嘉宾分享高水平的主题报告。
讨论技术创新和国产设备的机遇。
该研讨会分为两个专题报告会议，第三代半导体和半导体封装和测试。第三代半导体专题报告环节，多位专家带来精彩分享。
目前，全球正面临“芯片荒”。比如汽车半导体，手机芯片都很难找。美国、欧盟、日本都在加大投入，龙头企业不断完善全产业链布局，以提高未来在全球半导体行业的话语权和对供应链的控制力。世界第三代半导体仍由美国、日本和欧洲公司主导。美国等发达国家通过设立国家创新中心和产业联盟，引领、加速和抢占全球第三代半导体市场。龙头企业不断完善全产业链布局，通过上下游企业的并购和深度合作，提升竞争力，形成行业整合趋势。
赵
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长
国家重大战略和支撑高质量经济发展迫切需要第三代半导体。第三代半导体还支持国家能源革命，助力“双碳”战略，支持高速列车、新能源汽车、5G基站等新型基础设施系统升级，支持光电子和微电子的深度融合，有望引领跨界创新和应用。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵作了题为“第三代半导体产业发展现状及趋势分析”的主题报告。他结合国际产业发展现状，分享了国内从材料到技术、应用的产业链现状和趋势。目前中国技术实力提升，市场快速启动，产业链初步形成。需求带动产业链各环节快速发展，电力电子支撑国家“双碳”战略，迫切需要缩小与国际的差距。报告指出，核心设备国产化面临超高温、高硬度、高技术等挑战，但也迎来了战略机遇期。国家层面,“十四五”国家科技规划已经统筹规划，形成发展合力，争取未来十年全链条进入世界先进行列。联盟也希望与行业企业共同努力，建立协同创新的产业体系和生态。
梁庆瑞，山东田玉娥先进技术有限公司高级研究院院长
国内领先的第三代半导体衬底材料制造商山东田玉娥先进技术有限公司先进研究院院长梁庆瑞详细分享了“大尺寸碳化硅单晶的加工技术及产业化”。结合当前碳化硅半导体的主要应用方向、碳化硅基氮化镓和碳化硅电力电子产业的全球产业供应链、产能分布预测等发展趋势，何分享了铸锭加工、铸锭切割、化学机械抛光、清洗等。他说，碳化硅是典型的硬脆材料，硬度仅次于金刚石，物理化学性能非常稳定。而碳化硅晶体硬度高，难磨削，加工过程中容易断裂。PVT生长方法在晶体中具有大的内应力，这将导致衬底的曲率/翘曲难以控制。在加工过程中需要金刚石制品来提高去除率，但是加工损伤层很难去除。抛光工艺去除效率低，容易产生划痕。碳化硅表面亲水，容易吸附颗粒和金属离子。英寸到6英寸/8英寸，但基板最终厚度规格低于500um，工艺控制难度指数增加。在晶棒切割过程中，传统的砂浆多线切割方法具有表面质量高的优点，但效率低，线损高，且容易断线，大面积切割力不足，难以切割薄片，实现全自动化。未来的方向是采用激光剥离技术，采用半导体设备的做法，采用激光剥离技术降低无线损耗，效率可以提高2-3倍。而且大规模的剥离也是适用的，可以剥离薄片，有机会实现全自动化。
叶怀玉副教授中国南方科技大学
中国南方科技大学副教授叶怀宇介绍了碳化硅芯片和模块的最新进展。第三代半导体碳化硅具有带隙大、漂移率大、热导率大、击穿场强大等优点。，从而可以开发更适合高功率、高频、高温、高压等恶劣条件的功率半导体器件。总的来说，碳化硅的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。与硅基模块相比，由碳化硅二极管和MOS管组成的模块不仅具有碳化硅材料的固有优势，而且在应用中可以使模块体积减小50%以上，电子转换损耗减小80%以上，从而降低综合成本。碳化硅功率器件主要用于白色家电、新能源汽车、工业应用等领域，应用越来越广泛。报道了我国碳化硅芯片的技术进展，封装设计与结构、封装材料、封装工艺与设备的最新发展，碳化硅MOS器件的技术路线和碳化硅器件的全铜互连技术。指出碳化硅器件在理论应用模型、芯片制造工艺、器件封装技术、测试标准和评价方法等方面还存在一些关键问题，需要业界解决。
王院士，深圳大学微电子研究所和半导体制造研究所所长
在半导体封装与测试主题研讨会的专题部分，深大微电子研究院、半导体制造研究院院长王院士带来了“集成电路产业发展回顾与展望”的主题报告，并结合近几十年国际半导体的历史变迁与发展，分享了摩尔定律/芯片制造工艺节点的进步与展望。
俞大全厦门田芸半导体科技有限公司董事长
厦门田芸半导体科技有限公司董事长俞大全做了题为“新时代先进封装发展趋势及对国产设备的期待”的主题演讲。他表示，当前物联网、移动通信、5G、电动汽车、大数据等应用的发展带动了封装技术的不断发展。先进封装的主要技术平台大多与晶圆级封装技术有关，先进封装技术本身也在不断创新发展，以满足更复杂的三维集成要求。目前，高密度TSV技术/扇出扇出技术因其灵活性、高密度、适合系统集成等特点，已经成为先进封装的核心技术。TSV、SoIC技术、扇出封装技术的发展与应用、扇出封装的典型工艺、信息技术、面板级扇出封装等。是共享的。报告指出，传统封装主流设备的瓶颈在于更薄和12英寸划片机，先进封装的落后设备在于电镀机、晶圆键合机、面板级封装设备和测试设备。同时共享玻璃通孔三维集成技术和射频器件圆片级三维封装技术。
中信证券投资有限责任公司先进制造业负责人闫妍
最后，国内领先的股票直投公司中信证券投资有限责任公司先进制造业负责人高燕在线分享了《半导体投资现状与机遇》主题报告。报告称，全球半导体市场的规模正在稳步上升。据WSTS预测，2021年，强劲的需求将推动全球半导体收入达到创纪录的5510亿美元，增长率将创下多年新高。2022年也将保持较高增速。她认为，当前全球半导体产业呈现高度专业化分工和高度集中的特点，中国半导体市场规模持续稳定增长，其中设计环节增长迅速。自2020年以来，中国大陆已成为全球最大、增长最快的半导体设备市场。受芯片短缺和半导体产业链重组的影响，全球晶圆厂的新建和扩建仍呈上升趋势。全球产量扩张，设备先行，全球半导体设备处于高景气周期，中国市场增长迅速。2020年以来，半导体投资热度迅速提升，投资中后期一直在进行。从分行业来看，设计、材料、设备投资增长最快。特别是科创板打开了半导体公司上市的通道，进一步提振了半导体一级市场的投资热情。目前，半导体产能正逐步向中国大陆转移，美国全面打压中国半导体的发展。我国半导体供应长期依赖国际流通，高端芯片存在制造短板、供应风险等因素。但从中国半导体行业的外部环境和形势来看，国内替代仍然是长期投资的逻辑。而且整个半导体产业链替代性巨大空，EDA、核心设备替代空等核心环节十倍。
有嘉宾合影。
