光机电微纳制造科学与工程

最近，电子科技大学基础与前沿研究所的王增辉和夏娟研究组研究了基于硒化钨的二维微纳机电器件。相关成果发表在学术期刊《纳米快报》上。电子科技大学基础与前沿研究所是论文第一单位和交流单位。

据报道，由于二维材料的原子厚度，材料中的应力对外界调节极其敏感，在实现频率可调的微纳机电器件方面具有明显的优势。然而，不同器件参数对频率可调性的影响以及如何优化频率调节效率仍缺乏系统的研究和总结。

为解决这一问题，本课题组的研究人员制备并测量了数十个不同尺寸的WSe2二维微纳机电谐振器，器件厚度从单层WSe2到100多层不等。在此基础上，研究人员通过深入分析器件振动的动力学方程，找到了最有利于利用栅压进行频率控制的器件参数区域，并在此类器件上成功验证。

此外，在微纳机电器件研究方向，课题组还与国防科技大学合作，深入探索了一种国产MEMS传感器中非线性状态下模态耦合的独特效应，并在此基础上成功实现了模拟传感器信号的“自放大”和“数字化”，为进一步提高传感器性能提出了新思路；在二维材料的研究方面，该研究组也取得了一系列重要成果。