针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：
Bulk电容电压+N*Vo+Vspike
Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于1.414*Vin
N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压
Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。
MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。
设计开关电源时，开关管的耐压（VDS）如何取值？
核心提示针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：Bulk电容电压+N*Vo+VspikeBulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于1.414*VinN为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压Vspike为
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