二极管正向导通的条件是：给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!07V就是硅管的正向导通电压（锗管是约03V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变。
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
3、当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
晶体二极管具有什么特性
硅二极管死区电压约05伏，锗的01伏，正向压降硅06~07伏，锗02~03伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。
都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点
［选择题］锗二极管的导通电压为（），死区电压为（），硅二极管的导通电压为（），死区电压为（） A
晶体二极管具有单向导电性。
1正向特性
指二极管加上正向电压时电流和电压的关系。当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时，开始时正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大的电阻，这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0 5V;锗二极管死区电压约0 2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状态。
外加电压超过死区电压后，正向电流开始出现，直到等于导通电压，正向电流迅速增加，这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为06-0 7V，锗管的导通电压为02-03V。
2反向特性
指二极管加反向电压时电流和电压的关系。当给二极管加反向电压时，形成的反向电流很小，而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化，故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流，通常硅管有几微安到几十微安;锗管有几十微安到几百微安。
这个电流是衡量二极管质量优劣的重要参数，其值越小，二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流，认为二极管反向不导通。如果反向电压不断增大到一定值时，反向电流会突然增大，这种现象称为反向击穿，这时二极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时，是不允许出现这种现象的。
锗二极管导通电压为01V-03V，一般取02V，死区电压为01V左右；
硅二极管导通电压为05V-08V，一般取07V，死区电压为05V左右。
——以上出自《模拟电子技术》
故填CDAB
