因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。
将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代，切线与电压轴的交点，被定义为门槛电压，有时称为 “死区电压”；
当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。
实际的二极管外特性，是按照其伏安规律变化的，不同的外部条件，特性会略有差异；
只要二极管施加有电压，就会有电流流过，不管正反向；
只是流过二极管电流的大小在某些区域呈线性，而某些区域不是。
二极管RS1M与ES1J有什么区别
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？ 补充： "锗的ni"ni 是什么？ 满意答案一粒米8级2009-03-081） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为05V~06V, 锗二极管的门限电压约为01V~02V。○Οο海оΟ 的感言： 基体改进剂是？ 麻烦回一下~ 2009-03-08其他回答(2)ZZ10级2009-03-08你说的没错呀。
二极管RS1M与ES1J的区别如下：
1、恢复时间不同。
RS1M是普通的快恢复。ES1J是超快恢复。
2、反向时间不同。
RS1M的反向时间为250nS。ES1J的反向时间为35nS。
3、最大重复峰值反向电压不同。
RS1M最大重复峰值反向电压是1000V。ES1J最大重复峰值反向电压是600V。
4、正向电压下降不同
RS1M正向电压下降13V。ES1J正向电压下降17V。
扩展资料：
二极管的工作原理：
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
二极管的导电特性：
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
1、正向特性。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为01V，硅管约为05V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为03V，硅管约为07V），称为二极管的“正向压降”。
2、反向特性。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
-二极管
-RS1M
