BJT放大器有共射CE、共集CC、共基CB三种组态。
共射CE就是信号从BJT基极B输入，从集电极C输出，剩下发射极E自然是信号与输出的公共地，所以叫做共射组态，简称CE；
共集CC就是信号从BJT基极B输入，从发射极E输出，剩下集电极C自然是信号与输出的公共地，所以叫做共射组态，简称CC；
共基CB就是信号从BJT发射极E输入，从集电极C输出，剩下基极B自然是信号与输出的公共地，所以叫做共射组态，简称CC。三极管的三种工作状态
（1） 截止状态――ce极开路（断开）Ib＝0mA Ic＝0mA
（2） 饱和状态――ce极短路（闭合）Ib较大，Ic 不受Ib控制 Uce＝0V
（3） 放大状态――Ic=βIb
与BJT放大电路相比MOSFET偏置电路有什么特点？
BJT放大电路的共射(CE)、共集(CC)、共基(CB)三种组态按照以下规则区别：
信号从BJT基极B输入，从集电极C输出，剩下发射极E自然是信号与输出的公共地，叫做共射组态，Common Emitter，简称CE组态；
信号从BJT基极B输入，从发射极E输出，剩下集电极C自然是信号与输出的公共地，叫做共射组态，Common Collector，简称CC组态；
信号从BJT发射极E输入，从集电极C输出，剩下基极B自然是信号与输出的公共地，叫做共基组态，Common base，简称CB组态。
CE组态主要做电压放大；
CC组态特点是输入电阻大、输出电阻小，主要做阻抗变换；
CB组态特点是高频性能好，用于要求频带宽的场所。
已知放大电路中bjt三个电极的对地电压 这么判断三个极分别是什么极
MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。
这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。
D、S极与三极管略同。
相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择低压大电流领域是MOSFET的强项
IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高相比于BJT,更少被二次击穿而失效常用于高压（600V)应用领域以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等
BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达04V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场
BJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流
答：MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏MOSFET常见的失效模式有：
栅极击穿即栅极和源极之间的绝缘层破坏此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启
封装破裂这是由瞬间高热引起的在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂
漏源极之间击穿这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生发生后会导致短路而非断路会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式
当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现
BJT常见的失效模式有：
二次击穿：最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻此时BJT已经损坏如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁CB间绝缘破坏：比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿
热击穿：在高温下管子热失效通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿
MOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗计算公式为:
Ploss = f 05 Coss V^2 ,
V是MOSFET开通前一瞬间承受的电压
IGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗
BJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间在存储时间后进入下降时间下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗
但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准
答：从损耗分析上来看,
MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0
电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激
IGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0
电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥
BJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断
放大电路没有三个极的说法，只有做放大用的三极管才有三个极，这三个极分别叫b、c、e，也没有叫bjt的。对于NPN型三极管，对地电压最高的是集电极c，电压居中的是基极b，对地电压最低的是发射极e；对于PNP型三极管，则正好相反。
