这个问题其实应该这样回答：增强型MOS管也完全可以这样的！
问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。
打个通俗的比方：你在海上捕猎，耗尽型MOS管的特性是：在水里游但跳不过海面3米（假设海面为地电平=0），于是你逮它的时候可以在海面、海面下以及海面以上3米的范围内。
但是增强型MOS管的活动范围在海平面以上，你要逮到它不但不能在海平面下，而且要高于海平面（它是鸟不是鱼），只有达到了高度（开启电压），它才会工作（导通）。
所以问题的关键不是电压的正负或0，而是那种元件工作在“怎样的”条件下。
不知你能否理解参考点（也就是地，或者0V）是完全任意的！那只是一个“海平面”而已。咱们完全可以规定：“海平面”是我家东面东平湖的水平面、或者是我们家鱼缸里水的平面、以及你们家鱼缸里的水平面，而所有这些“人为地”规定，都不会影响鱼或者鸟的生活习性。
直接地说：那两种MOS晶体管区别是：耗尽型的栅极预先注入了电荷，因此0V时导电；要使其不导电，必须加负电压以抵消注入电荷的作用；而增强型MOS管没有预先注入的电荷，所以0V时不导电，必须外加足够的栅源电压（使其进入鸟的高度），才可以导电（逮住鸟）
nMOS：Vth=07V ，pMOS：Vth=-08V。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。
扩展资料：
对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。
阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。
参考资料：
