首先Ube一般比较小，所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7，下图的是0.2，硅管的Uon比锗管高，所以上图为硅管，下图为锗。
上图：如果左端为b，管子为NPN，那么发射结正偏，集电结反偏，Ube>Uon，符合放大工作条件。反过来，如果左端为e，管子为PNP，发射结正偏，集电结也是正偏，饱和状态。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
参考资料：
电流放大倍数分别为100和50.
答题过程如下：
从图中电流方向可以看出a是NPN管，b是PNP管：根据电流大小可判断出管的极性：
在a中，Ib＝10μA，Ic＝1mA,
Ie＝Ib+Ic=0.01+1=1.01mA
β＝ΔIc/ΔIb≈100
在b图中，Ib＝－100μA，Ie＝－5.1mA，
Ic＝Ie－Ib=－5mA
β＝ΔIc/ΔIb=50
作图标号如下所示：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
