bjt是什么意思介绍如下：
BJT是双极型晶体管（三极管）。
它引出的三个管脚，分别叫做基极（b）、发射（e）、集电极（c）。b和e之间有单向导通的特征，加反向电压时，不能导通；加正向电压到达一定值时，这两极之间的电阻会突然变小而导通。
死区电压，就是指这两极加上正向电压，电压由0v伏逐渐升高，直到这两极出现导通时刻的电压（比如是硅管，这一电压值是0.6伏），即0伏到导通电压最低值的这一个电压范围，就是死区电压（比如硅管，死区电压就是0伏到0.6伏的这一电压值范围）。
三极管的使用：
选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。
低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3～10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。
一般希望β选大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振荡，何况一般β高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常β多选40～100之间，但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值达数百时温度稳定性仍较好。
另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。例如前级用β高的，后级就可以用β较低的管子；反之，前级用β较低的，后级就可以用β较高的管子。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。
