首先要强调一个问题：三极管工作电压Ube是指PN结电压大于导体电压，如npn的Ube>0.65左右；而PNP的Ube<-0.65;
这样才能导通工作；
第二个问题：关于UBE是否可以超过导通电压。答案是完全可以超过导通电压。原因如下：
1、单纯的PN结的结电流是和PN结两端电压有关系的其关系为IF
=
IS0·{exp
[q·VF
/
(k·T)]
-
1}。其中三极管中VF为其be结的压降；通过关系式我们可以看出，三极管的基极电流和电压直接关系，当Vbe升高时候Ib会增大（因为是e指数关系，所以Vbe变化一点电流就会变化很大）；
2、实际应用的三极管，其基极还有一个串联电阻rb，同样发射极也有一个寄生的串联电阻re;那么实际三极管中Vbe=ib*rb+VF+(Ib+ic）*re
这个才是实际应用中的模型；
PS：所有的前提都是基于三极管工作在能够承受的最大电流和功耗范围内，否则三极管会热损坏。
还有一点如果基极注入电流过大，会让三极管进入饱和区。如果有兴趣可以看一下《晶体管原理一书》
左边电压增大，到2.7伏之前，v不导通，之后导通，为什么导通后右边的电压不再增大？
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
扩展资料：
三极管工作状态：
截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
参考资料:百度百科------三极管
因为2.7v以後所增加的电压由R降低，而R两端的电压差就等如所增加的电压，如U1增至3v R两端就有0.3v电压差，而右边就由电压源(2v)+V导通(0.7v)钳在2.7v的电位上。
