我是一名单片机工程师，下面的讲解你参考一下.
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51单片机共有40只引脚．下面这个就是最小系统原理图，就是靠这四个部分，这个单片机就可以运行起来了．(看下面的数字标记，1234)
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我们来一，一讲解一下：
1 第一部分：电源组(标记为1的部分)
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40脚接电源5V(右上角)，
20脚接电源负极(左下角)，
在单片机里面，负极也可以叫GND或者”地”，
我们在单片机的应用中，习惯说负极为”地”，上面GND就是英文ground的缩写，翻译过来就是”地”的意思．
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2 第二部分：晶振组(标记为2的部分)
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11.0592M晶振Y1与单片机的18，19脚并联，因为这两只脚，就是晶振的工作引脚．
22p电容C2一端接18脚，一端接地．
22p电容C3一端接19脚，一端接地．
这两个电容，我们在10~30P之间选择都是可以的，主要作用是，过滤掉晶振部分的高频信号，让晶振工作的时候更加稳定．
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3 第三部分：复位组(标记为3的部分)
10u电容C1正极接电源5V，C1负极接单片机的复位脚，第9脚．
1K电阻R17一端接单片机的复位脚，第9脚，一端接地．
就是通过这个10u和1k，就可以让单片机一开始供电时候，单片机自动复位，从零开始执行程序，这个就是复位的概念．
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4 第四部分：其它功能组(标记为4的部分)
这个脚是存储器使用选择脚，当这个脚接”地”时，那么就是告诉单片机，选择使用外部存储器，当这个脚接”5V”时，说明单片机使用内部存储器．
如果选择外部的存储器，太浪费单片机仅有的资源，所以这一脚永远接电源5V(如上图所示)，使用单片机的内部存储器．
5 如果内部存储器不够容量，最多选择更高级的容量，就可以解决容量不够的问题了，就是这么简单
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一天入门51单片机：点我学习
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我是岁月哥，愿你学习愉快！
为什么51单片机不把晶振电路里面的电容内置
标准51内核内部是没有RC震荡电路的。
而且RC震荡电路受电源电压和环境温度影响比较大，在者芯片内部的RC也只是控制在一个范围内比如4~8MHZ，而且误差很大，这个可能正好是 在8MHZ，换一个可能就4.3MHZ了，都在他的误差以内，但你的芯片你自己都不知道当前运行在什么频率，就算最常用的延时程序，每换个芯片你都要去调一次延时程序岂不很麻烦。
另外就是做串口通讯程序中，51的晶振频率标准是11.0592MHZ，内部很难做出来。频率不对通讯肯定也不正常了，所以没人愿意冒这个险，当然你用在一些对频率误差要求不高的，比如做个流水灯这样的，多亮会或多灭会无所谓的地方，或者没有严格的时序要求的地方，还是可以的
如果说晶振旁的电容为C1,C2那CI,C2这两个电容就叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮法。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。
晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。
因此，晶振的数据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容,定值贴片电容没有24pf，只有22pf）。
两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl,? cl=cg*cd/(cg+cd)+a ，a= Cic+△C(a的经验值是3.5-13.5pf) 就是说负载电容15pf的话，两边两个接27pf（定值贴片电容只有27pf，没有30pf）的差不多了，各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。
在晶振输出引脚XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接, 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不用接了。
这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处于线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体旁边的两个电容接地, 实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点. 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形成一个正反馈以保证电路持续振荡. 在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数 PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量. . 一般芯片的 Data sheet 上会有说明。
另：
1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。
2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近
调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高
4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的
振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
由于电容会造成震荡不稳定 , 而且一般单片机的震荡频率会差很多 , 因此把这个电容做到 IC 里面就会限制单片机运行的速度.
