猎户座腰带
业绩方面，三星电子7月发布的第二季度财报显示，三星电子截至6月30日的销售额为77.2万亿韩元，同比增长21.3%，环比微跌1%；营业利润为14.1万亿韩元，同比增长12.17%，此前市场预期为14.6万亿韩元；归属于上市公司股东的净利润为10.59万亿韩元，同比增长15.26%，环比下降2%。
其中，涵盖半导体业务的三星DS销售额为28.50万亿韩元，同比增长24%。其中，存储业务收入为21.08万亿韩元，同比增长18%。DS的部门销售额明显低于市场分析师预期的36.7万亿韩元，这也被视为消费电子市场降温的信号。但其营业利润仍受益于美元走强和服务器对内存的持续需求，达到9.98万亿韩元，同比大幅增长44%。
三星预计，下半年服务器的存储芯片需求将持续，但智能手机和个人电脑的存储芯片需求将减弱。尽管存在地缘政治和通胀相关的不确定性，但三星电子认为，下半年对高性能计算和5G的需求将保持稳定。
在存储新产品方面，三星电子7月21日宣布成功研发出第二代SmartSSD。与传统SSD相比，三星SmartSSD可以直接处理数据，从而最大限度地减少CPU、GPU和RAM之间的数据传输。这项技术可以避免存储设备和CPU之间的数据传输瓶颈，进而显著提高系统性能和能效。使用Arm内核和客户开发的相关知识产权和软件，三星第二代SmartSSD可以实现更高效的数据处理。与三星传统数据中心SSD相比，数据库重扫描的查询时间可缩短50%以上，功耗可降低70%，CPU利用率可达97%。
早在7月14日，三星就宣布开始提供业界首款16GB GDDR6 DRAM。其处理速度为24Gbps，新内存基于三星第三代10纳米技术。采用极紫外技术、创新的电路设计和高度先进的绝缘材料，最大限度地减少电流泄漏。三星GDDR6 DRAM完全符合JEDEC规范，并将兼容所有GPU设计。通过低功耗选项，可以根据性能要求调整工作电压，这有助于延长笔记本电脑的电池寿命。
在存储技术方面，三星电子在本月举行的半导体融合组件贴装技术和电子材料研讨会上宣布，MSAP技术将应用于下一代DDR6。MSAP工艺的特点是图案形成过程主要依靠电镀和闪蚀，而闪蚀过程中蚀刻出的化学铜层相当薄，所以蚀刻时间相当短，更不容易出现电子线路的侧向蚀刻问题。三星电子表示，随着存储器半导体性能的提高，封装技术也必须同时发展。一些竞争对手已经在DDR5产品中应用了MSAP技术，三星也将在DDR6产品中引入MSAP技术。
此外，据韩国媒体报道，三星正在开发一种能够承载8个高带宽内存模块的封装技术，以匹配先进半导体制造工艺的发展。而且三星正在准备新一代3.5D封装技术。预计三星的3.5D技术将以2.5D为基础，再整合3D垂直堆叠封装方式。预计三星如果将3.5D技术投入量产，将抢占新一代封装市场的主导权。
SK海力士
业绩方面，SK海力士7月下旬发布的2022年第二季度财报显示，合并营收为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，为2018年以来同期单季度最佳业绩。净利润2.877万亿韩元，营业利润率30%，净利率21%。
SK海力士表示，第二季度DRAM出货量比第一季度增长约10%，NAND闪存出货量增长了较高的个位数百分比。此外，美元的持续走强及其子公司Solidigm的合并也成为其业绩增长的有利因素。在业绩的带动下，第二季度营收有史以来首次突破13万亿韩元。
虽然本季度业绩亮眼，但SK海力士仍然预计，由于去库存化，数据中心的客户服务器存储需求可能会放缓。此外，SK海力士有2023年削减25%资本支出的消息，以应对市场需求萎缩和不确定性上升。重新思考扩张战略使得SK海力士的股价高开低走。
在存储产品/技术方面，SK海力士在财报电话会议中透露，计划年内完成238层NAND的试产，2023年上半年量产。
SK海力士还表示，计划在今年年底前以晶圆形式实现其主要产品4D NAND 70%的出货，以进一步提高毛利率。
在投资方面，SK海力士冻结了韩国国内半导体工厂的投资计划。原定于2025年在韩国中部清州投产的新工厂将被无限期推迟。
新工厂投资额为4.3万亿韩元。按照原计划，将于2023年在现有工厂相邻的43万平方米土地上开始建设名为M17的新工厂，并于2025年投入使用，量产尖端存储产品。但由于个人电脑和智能手机销售低迷，目前存储库存水平较高，预计未来1-2年将进入需求低迷期，因此SK海力士推迟了设备投资。
在此之前，知情人士透露，SK海力士正考虑在2023年削减约四分之一的资本支出，至16万亿韩元，以应对电子产品需求慢于预期。
知情人士称，SK海力士今年基本上如期支出约21万亿韩圆来建设DRAM和NAND产能。然而，由于智能手机和服务器等各领域芯片需求下降的不确定性，该公司被迫重新考虑明年的扩张计划。
侠义/东芝，西部数据
侠客与西部数据合作建设的工厂7月有了新消息。据报道，日本政府表示，将向侠义和西部数据提供929亿日元，帮助提高产量，以确保日本存储芯片的稳定供应。日本经济产业大臣萩生田光一表示:“我们相信这项投资将有助于稳定日本先进存储芯片的生产，这将有利于日美两国在半导体领域的合作。」
随着装甲兵和西部数据20年的合资伙伴关系，装甲兵和西部数据将继续加快日本最大的半导体工厂西田的尖端闪存的开发和生产。随着第一期Fab7的建设完成，合资制造工厂将于2022年秋季实现初步投产。该工厂将生产包括112层和162层以及未来节点的3D闪存。
西部数据方面，本月也有新品推出。7月20日，西部数据宣布其三款22TB大容量硬盘已正式向零售市场发货，包括面向企业和云计算的WD Gold disk、面向小型企业和家庭NAS网络存储的WD Red Pro disk以及面向视频监控的WD Purple Pro disk。
三款硬盘均为3.5寸，SATA 6Gbps接口，CMR传统磁记录技术，均为10盘，每盘存储2.2TB，转速7200PRM，缓存512MB，空空闲噪音20dBA，平均寻道噪音32dBA，装卸周期60万次，质保5年。
Data West还宣布与索尼互动娱乐联手，为全球游戏玩家提供首款PlayStation授权的M.2 SSD，专门用于PlayStation 5游戏主机的WD_BLACK SN850 NVMe SSD，让玩家可以扩展PlayStation 5的存储空空间。
西部数据显示，这款SSD已经针对PlayStation 5游戏主机进行了优化，通过多个场景验证了其性能。经过全面测试，最高读取速度可达7000 MB/s，西部数据在产品说明书中提醒用户，这款SSD不适合NAS或面向服务器的功能。在安装之前，PlayStation 5游戏主机需要更新到版本21.02-04.00.00或更高版本才能使用这种SSD。
东芝的新闻仍然集中在其成员不断增加的潜在收购团队。
7月6日，日本最大的公共事业公司东京电力正在考虑加入一个竞购联盟，共同竞购东芝集团。该联盟此前由日本政府支持的产业创新投资机构和日本私募股权投资基金日本产业伙伴组成。c和JIP结成联盟，因为他们没有足够的资金。
东芝在6月初表示，已经收到了十份战略合作提议。其中八个是私有化要约；关于资本和商业联盟的两个提案，前提是东芝保持上市。
据知情人士透露，KKR、黑石集团、贝恩资本、布鲁克菲尔德资产管理公司、安博凯直接投资基金、阿波罗全球管理公司和CVC资本都是东芝的潜在竞购者。
广美
在技术/产品方面，美光宣布已经开始量产，并出货全球首款232层n and。与前几代Micron NAND相比，它具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。
美光表示，美光的232层NAND技术实现了业界最快的NAND I/O速度:每秒2.4GB，比美光的176层NAND快50%。广美的232层NAND实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度:14.6Gb/mm2。32层NAND采用新的11.5mm x 13.5mm封装，其封装尺寸比前几代Micron产品小28%。
广美的232层NAND已经在其新加坡工厂实现量产，最初将通过至关重要的英瑞达SSD消费产品线以组件的形式交付给客户。
美光还宣布，将为下一代英特尔、AMD服务器和工作站平台推出DDR5内存。据说这款DDR5内存可以帮助服务器和工作站系统性能提升85%。美光表示，迁移到服务器DDR5内存后，系统性能将比原来的DDR4内存提高85%，可以最大限度地提高AI、HPC和数据密集型应用的性能，因为这些应用需要更多的CPU计算能力和更高的内存带宽。
据了解，美光新的DDR5服务器内存正在数据中心环境中进行评估和测试，预计将在2022年更多采用。DDR5内存的初始数据速率为4800MT/s，未来还会继续提高，以满足数据中心工作负载的需求。
业绩方面，美光近日公布了2022财年第三季度业绩报告，显示营业收入为86.4亿美元，上一季度为77.9亿美元，去年同期为74.2亿美元，毛利率为46.7%。GAAP净收入为26.3亿美元，或摊薄后每股2.34美元。非美国通用会计准则净收入为29.4亿美元，或每股摊薄收益为2.59美元。运营现金流为38.4亿美元，上一季度为36.3亿美元，去年同期为35.6亿美元。
在其他地方，美光在日本的工厂在7月份经历了停电。美光宣布，由于天气恶劣，其位于日本广岛的DRAM工厂于2022年7月8日停电。所有Micron团队成员都是安全的，损失的影响需要评估。
美光预计，2022财年第四季度和2023财年第一季度的生产率和晶圆报废将造成损失和相关成本影响。根据市场分析，就第三季度产能而言，工厂每月产能约占美光每月产能的30%，而全球产能约占7%。该厂主要生产工艺为1Znm，投片比例超过50%，其次为1Ynm，占比近35%。由于停电时设备同时启动不间断电源系统，受电压降的影响，设备需要重新启动检查，停电时间约为5~10分钟，受影响的容量应是有限的。
