半导体器件产生的热量来源于芯片的功耗，热量的累积必定导致半导体结点温度的升高，随着结点温度的提高，半导体器件性能将会下降，因此芯片厂家都有规定半导体器件的结点温度。在普通数字电路中，由于低速电路的功耗较小，在正常的散热条件下，芯片的温升不会太大，所以不用考虑芯片的散热问题。而在高速电路中，芯片的功耗较大，在正常条件下的散热不能保证芯片的结点温度不超过允许工作温度，因此需要考虑芯片的散热问题。
半导体电路集成电路中，器件的结温是由产热与散热的诸因素决定的。
书 名: 现代半导体集成电路
作 者：杨银堂 刘帘曦
出版社： 电子工业出版社
出版时间： 2009年04月
ISBN: 9787121082542
开本： 16开
定价: 28.00 元 第1章 集成电路器件与模型
第2章 集成电路制造技术
第3章 晶体管一晶体管逻辑（TTL）电路
第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路
第5章 双极模拟集成电路
第6章 CMOS基本逻辑电路
第7章 CMOS数字电路子系统
第8章 现代半导体存储器
第9章 CMOS基本模拟电路
第10章CMOS运算放大器
第11章 CMOS开关电容电路
第12章 CMOS数据转换器
第13章 CMOS锁相环（PLL）
第14章 集成电路版图设计
第15章 集成电路可靠性设计与可测性设计
第16章 片上系统（SoC）设计初步 1. C. Mead and L. Conway,Introduction to VLSI System, Addison-Wesley, London, 1978.
2. 复旦大学微电子教研室编著:《半导体集成电路》,上海人民出版社，上海，1980。
3. P.Richnian,MOS Field-Effect Transistor and Integrated Circuit, John Wiley & Sons, New York,1973.
4. M. L. Toptev, Thick-film Microelectronics,VanNostrand Reinhold Co., New York, 1971.
