要看是增强型还是耗尽型管子，耗尽型管子VGS=0导通，VGS反偏则截止，结型场效应管都是耗尽型。
绝缘栅型场效应管分增强型和耗尽型,耗尽型用法同结型场应管，增强型VGS=0管子截止，VGS正偏则导通..
不管结型还是绝缘栅型都分P沟道和N沟道，如果是P沟，S接高电位，G接低电位则为正偏，N沟反之....
NMOS管高边驱动，希望能够设计一个升压驱动电路使栅极电压高于电源电压，使NMOS管导通。。。
当IGBT击穿时，稳压二极管可以使电位稳定在18V，防止Q4的在高电位时击穿，当稳压二极管在电压过高，本身也会击穿，使Q4始终保持在18V以下的水平，电正常工作时不受其影响，高电位时起到保护作用。
如图：我自己对MOS管的理解就是P型在应用时栅极应给个上拉的正偏的电压，N型栅极拉低让其零偏或反偏；可是看到有人在电路中应用时没有加那个下拉电阻。
这个电路MOS管只用作开关作用，那是不是说MOS在实际应用时，在数电和模电电路中的用法不一样？ 像图里这样应用会不会对电路有什么影响？
也就是说这个下拉电阻有没有对电路有什么影响，为什么？
