这个很正常，场效应管与二极管都是半导体元件，他们不导通时可视为是个阻值很大的电阻，这两个电阻串联构成分压电路，所以其连接点是有电压的；
这个你很容易去验证的，找两个二极管同向串联起来，然后反向地去连接到电源，此时是不会有电流的，但是每个二极管上的电压是存在的，并且其和就是电源电压；
mos管驱动电压不足怎么办
在mos管耐压足够的情况下，主要就是散热问题，由于电压高导致温度高，是易坏的。
mos管用作放大电路，漏源间电压高，在线性放大状态，其功率对应肯定会增大。
如果是功率输出级，散热片要考虑足够大和有足够的散热空间。
耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗
换成P沟道管。
mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断应该使用P沟道管，做成共源放大电路（上面为S极），才能将电源电压满幅度输出。
驱动电压，使器件开始工作所需的最小供电电压。
MOS管驱动电压，是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗？驱动电压有什么意义？
耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗
答:对的
问题的实质是:增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负,只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的:截止。 打个通俗的比方:你在海
MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零,当VGS小于VT时,管子才导通,漏极-源极之间应加负电源电压。 N型沟道场效应管漏极电流是从
mos管栅极电压太低
过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。
1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。
3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth；
Vod2=Vds-Vth；
如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。
mos管栅极电压太低的影响很大。具体如下：
1、mos管栅极电压太低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。
2、mos管栅极电压太低影响电阻，电压越低电阻越大，会导致保险丝烧断。
