你的本意是要问内建电势吧（当然两者变化的趋势也应该 是一样的），PN结的内建电势与能带宽度Eg有关，Eg越大，本征载流子浓度越小，内建电势越大（参考突变结的公式就可以看出），比如硅的能带宽度比锗大，所以，内建电势就更大。绝大多数半导体能带宽度Eg都是随温度升高而减小的，所以内建电势随温度升高要减小。当然也有特例，比如PbS的Eg随温度升高增加。
PN结的内建电场U据说会随着温度的升高而减小，这是为什么？
核心提示你的本意是要问内建电势吧（当然两者变化的趋势也应该 是一样的），PN结的内建电势与能带宽度Eg有关，Eg越大，本征载流子浓度越小，内建电势越大（参考突变结的公式就可以看出），比如硅的能带宽度比锗大，所以，内建电势就更大。绝大多数半导体能带宽
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