有1000V和500V摇表两个摇表，还有万能表。
二极管能够正常工作的最高电压,超过这个电压可能会损坏二极管。
二极管特性：
正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
反向性
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
2、反相滞回比较器
工作原理：滞回比较器的三个主要参数是：阈值电压V1、V2和回差电压VH，改变基准电压VREF（也叫参考电压）的大小，可同时调节两个阈值电压V1和V2的大小，且不影响回差电压值VH；改变Rw和R2的比值或输出电压的正负幅度可以调整回差值大小。提示：如果电路中遇到干扰电压时，可以适当调节Rw和R2的比值，使干扰信
(a) 电路图 (b) 传输特性
图10－2 滞回比较器
号的峰值落在回差电压范围内，就不会引起电路输出端的误动作，即错误的翻转。实验电路如图10－2所示
（1）按图接线，并将Rw调为100K（或用实验箱上100K电阻直接连上）。输入信号Ui接实验箱左侧直流电压-5V-+5V输出端并用万用表直流电压档调到大约±0.8v左右（视运放同相端3脚对地电压而定）。测出V0从U+跳变到U-时Ui的临界值。（原理与方法1：当输入电压Ui经过R1电阻进入运放反相输入端2脚后，此电压一旦与同相端3脚U∑对地电压相等（Ui=±U∑），就使得输出电压Uo发生反相跳变，这一变化使同相端3脚+U∑重新得到一个与原来相反的对地直流电压-U∑(此电压与U∑大小基本相等，极性相反。由分压公式知： U∑={10K/（100K+10K)} ±Uo)。我们只需用万用表直流电压档先测量一下3脚U∑对地电压值，就可知输入电压Ui为多大值时，输出端Uo必然发生反相跳变。两次测量U∑，可知U0从U+跳变到U-时和U-从变到U+时Ui的临界值。（2）为了观察Uo上下跳变，将示波器耦合方式选为DC，Y轴衰减置为5V/DIV,以便观察输出端Uo直流电压的上、下跳变。
（3）Vi接信号发生器f=500Hz，有效值为1-3V的正弦波，观察并记录Ui和U0的波形。
（4）将电路中的Rw调为200K，重复上述实验（只不过是分压比变了，±U∑对地电压变小了）。
（5）参考公式: ；
