1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
3、利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
4、组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
5、场效应管的抗辐射能力强；
6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
扩展资料：
场效应管分为接合型场效应管和MOS型场效应管两类。
接合型场效应管即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。
MOS型场效应管因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。
百度百科——场效应管
P型MOS管的导通条件：
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。
如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
