二极管的管压降是指二极管的正向电压降。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降，在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
二极管是由PN结构成的，任何一种材料的PN结在正向导通时，都会有电压降，硅管是0.7V ?锗管是0.3V。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
扩展资料：
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。?
1、 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
2、反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
百度百科—二极管
图1是典型的包络检波电路。由中频或高频放大器来的标准调幅信号ua(t）加在L1C1回路两端。经检波后在负载RLC上产生随ua(t）的包络而变化的电压u(t），其波形如图2所示。这种检波器的输出u(t）与输入信号ua(t）的峰值成正比，所以又称峰值检波器。
包络检波器的工作原理可用图2的波形来说明。在t1<t<t2时间内，输入信号瞬时值ua(t）大于输出电压u(t），二极管导通，电容C通过二极管正向电阻ri充电，u(t）增大；在t2<t<t3时间内，ua(t）小于u(t），二极管截止，C通过RL放电，因此u(t）下降；到t3以后，二极管又重新导电，这一过程照此重复不已。只要RLC选择恰当，就可在负载RLC上得到与输入信号包络成对应关系的输出电压u(t）。如果时间常数RLC太大，放电速度就会放慢，当输入信号包络下降时，u(t）可能始终大于ua(t），造成所谓对角切割失真（图2）。此外，检波器的输出通常通过电容、电阻耦合电路加到下一级放大器，如图1中虚线所示。如果Rg太小，则检波后的输出电压u(t）的底部即被切掉，产生所谓的底部切割失真。 图3为同步检波器的框图。模拟相乘器的一个输入为一单频调制的单边带调幅信号，即us(t)=Umcos(ωct+Ωmt），其中ωc为载波信号角频率，Ωm为调制信号角频率；另一输入是本机产生的相干信号，即uc(t)=Uccosωct，则乘法器的输出电压u0(t）与uS(t）和uc(t）的乘积成正比，即
u0(t)=Kus*(t)uc(t)
式中K为一比例常数。u0(t）中包括两项，一项为高频项（2ωc+Ωm），另一项为低频项（Ωm）。通过低通滤波器后将高频项滤除，即得到与调制波成对应关系的输出。uc(t) 通常可用本地振荡器或锁相环产生。同步检波器的抗干扰性能比包络检波器优越，但是它的电路比较复杂。随着电子技术的进步，这种解调方法的应用日益广泛。
