这些都是MOSFET管，不是三极管（三极管有NPN，PNP之分，MOSFET没有这种说法）。
1、工作电流不同
IRFP250与250N在参数上有少量区别，250的持续电流ID为33A，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值）。
2、功率不同
耗散功率IRFP250为180W，250N为214W。
3、导通电阻不同
导通电阻IRFP250最大为0.085欧，250N为0.075欧。
4、工作产生的温度不同
IRFP260和260N最核心的差别是，后面的N代表的是温度特性，不带N的正常工作范围是-55- 150摄氏度，带N的可以达到-55 - 175摄氏度。
扩展资料
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。
由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。
MOS电容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反转（VBG=3V），（C）积累（VBG=-3V）。
正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。
如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。
在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
百度百科-mos管
⑴标称电压或压敏电压U1mA：在直流电压条件下，压敏电阻流过规定的电流时，压敏电阻的端电压称为压敏电阻的压敏电压。一般规定，当压敏电阻流过直流1mA时的端电压称为压敏电压U1mA。对于直径5mm或更小尺寸的压敏电阻，则以0.1 mA为标称电压测量点，对于低电压大直径产品，也有以20 mA来表示标称电压的。
⑵测试电流I1mA：与压敏电压相对应的电流称为测试电流，通常测试电流规定为直流1mA。
⑶电压比：压敏电阻流过规定大小的电流时产生的直流压降与压敏电压的比值称为电压比。
⑷电压温度系数：在规定的温度范围内和规定的脉冲电流条件下，当压敏电阻体内温度改变1℃时，电压相对变化百分比称为电压温度系数。
⑸通流量：按规定的时间间隔和次数，在压敏电阻上施加规定的标准电流波形冲击后，压敏电阻的压敏电压变化率小于或等于技术条件中所规定的值时，通过的最大电流值称为浪涌通流容量，简称通流量。
在规定时间（8μs/20μs）内，允许通过脉冲电流的最大值。其中脉冲电流从最大值的90%到最大值的时间为8μs，峰值持续时间为20μs。
⑹电压变化率：压敏电阻在冲击试验前后，压敏电压相对变化的百分比称为电压变化率。公式如下：
电压变化率=[（U1-U2）/U1]×100%
式中：U1、U2分别为试验前后的电压。
⑺漏电流（μA）：当元件两端电压等于规定电流下两端电压的75%时，压敏电阻上所通过的直流电流称为漏电流。
⑻额定功率P：在规定的环境温度下压敏电阻的负荷功率称为额定功率。
9、残压比η：压敏电阻的残压值与压敏电压U1mA的比值。
压敏电阻不是一般意义上的电阻。它是由用绝缘膜隔离金属氧化物（如氧化锌）颗粒构成的，国外称为MOV（metal Oxide Varistor）。在低电压下具有很大电阻,很小的漏电流；当加高电压时，压敏电阻中绝缘膜变成导体，电压稍微增加，电流急剧增大，类似于稳压管击穿特性，可以承受很大的瞬时功率。以上压敏电阻知识由智旭JEC为您提供。
压敏电阻经常并接在开关电源适配器输入端的火线与火线、火线与中线之间，以及电感器件端作为浪涌和尖峰电压吸收元件。工作电压通常为击穿电压的一半即可。主要特性参数是击穿电压Ub、残压比η和承受的损耗能量W。
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