可以。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET。mos管的栅源电压和漏源电压能同时测量。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
一是栅源电压VGS方向正好相反。P沟道场效应管要导通，栅极CJ电压必须低于源极S电压，且低到某种程度；而N沟道场效应管要导通，栅极G电压必须高于源极S电压，且高到某种程度。可见．P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。
二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极D，而N沟道场效应管的电流方向是由漏极D流向源极S。
