三极管接线图如下所示：
三极管为半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结。
两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。
这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
-三极管
三极管各种电路中的各种作用
在弦波振荡电路中及其他各种振荡器都需要三极管参与，且为电路中的主要元器件。电路中的VT1是RC振荡器中振荡管。在电路开关电路中的VT2是电子开关管，它用来控制VT1是否进入工作状态。这是电阻分压器构成的恒压源电路，R1，R2，R3和二极管VD1构成分压电路，分别给VT1，VT2提供正向偏置电压，这样输出电压UO1，UO2,恒定。电路中的VT1和VT2是恒压管。晶体管反相器，当无输入信号时，VT1截止，这时候VT1相当于开关断开的情况。当输入端加上信号时，VT1处于饱和状态，这时候相当于开关接通的情况。VT1输入端状态和输出端状态刚好相反：输入为高电位时输出为低电位，输入为低电位时候输出为高电位。所以可以成为之为相反器，又因为它相当于一个没有机械触电的开关，所以属于无触点开关。三极管是各种驱动电路中的主要元器件。
三极管在电路中的符号和实际中的符号分别是什么？
三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。
刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器，此外三极管还有稳压的作用。
三极管的3个基本放大电路是什么？？
三极管在电路中的符号如下图：
三极管是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
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在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。
对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来变成朝里的了。
-三极管
两个三极管组成的是什么电路？
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三极管在电路中起到什么作用？
此两个三极管构成一个带限流保护的发光二极管驱动电路。
左边一个三极管是限流保护三极管，右边一个三极管是驱动三极管。
当外加触发电压Uin增加，驱动三极管Ib、Ic增大，点亮发光二极管。
若Uin继续上升，驱动三极管的Ib会上升，导致Ic电流继续增大，如该电流不加限制，超过适当值将损坏发光二极管。
为此该电路设置了驱动管基极电流Ib的限流保护电路，如驱动三极管Ic增大，通过发射极电阻的压降升高，一旦达到07V时，左边限流保护三极管导通，将输入电流通过限流三极管的集电极分流，减小了输入驱动三极管的基极电流，从而限制了驱动管的Ic电流。
三极管放大电路具体是怎么计算的？
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
三极管放大电路计算
一、共发射极放大电路
（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。
Vcc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率
C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流；
RB1、RB2(基极偏置电阻)： 提供合适的基极电流
RC(集极负载电阻)： 将 DIC DUC ，使电流放大 电压放大
RE(发射极电阻)： 稳定静态工作点“Q ”
CE(发射极旁路电容)： 短路交流，消除RE对电压放大倍数的影响
（二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求：I1 (5~10)IBQ，UBEQ 838电子
求静态工作点Q：
方法1估算
工作点Q不稳定的主要原因：Vcc波动，三极管老化，温度变化稳定Q点的原理：
方法2利用戴维宁定理求 IBQ
（三）性能指标分析
将放大电路中的C1、C2、CE短路，电源Vcc短路，得到交流通路，然后将三极管用H参数小信号电路模型代入，便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。
1电压放大倍数
2输入电阻计算
3输出电阻 Ro = RC
没有旁路电容CE时：
