N沟道MOS管也就是说S、D为N+区，其沟道为N型，即为电子。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
作为N沟道耗尽型MOS管，在制造过程中，S、D之间的衬底表面形成了导电沟道，其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子，一般来说是磷离子，砷离子常被用来作为S、D区域的注入。
如果是N沟道增强型MOS管被做成了N沟道耗尽型MOS管，则可能的原因比较多，需要你提供进一步的信息。
没有看过华成英的《帮你学模拟》。
但三个不等式中：
“uGS>uGS(th），且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”
中间的一个错了！
应为：uGD<UGS（th）。这就是说，G、D间沟道被夹断，即“预夹断”。
