高TG意思是板材在高温受热下的玻璃化温度大于170度。
TG指玻璃态转化温度，是板材在高温受热下的玻璃化温度，一般TG的板材为130度以上，高TG一般大于170度，中等TG约大于150度。
TG值越高，板材的耐温度性能越好 ，尤其在无铅制程中，高TG应用比较多。
玻璃化转变温度是高分子聚合物的特征温度之一。以玻璃化温度为界，高分子聚合物呈现不同的物理性质：在玻璃化温度以下，高分子材料为塑料；在玻璃化温度以上，高分子材料为橡胶。
从工程应用角度而言，玻璃化温度是工程塑料使用温度的上限，是橡胶或弹性体的使用下限。
扩展资料：
测定方法：
1、膨胀计法 在膨胀计内装入适量的受测聚合物，通过抽真空的方法在负压下将对受测聚合物没有溶解作用的惰性液体充入膨胀计内，然后在油浴中以一定的升温速率对膨胀计加热，记录惰性液体柱高度随温度的变化。
由于高分子聚合物在玻璃化温度前后体积的突变，因此惰性液体柱高度-温度曲线上对应有折点。折点对应的温度即为受测聚合物的玻璃化温度。
2、折光率法 利用高分子聚合物在玻璃化转变温度前后折光率的变化，找出导致这种变化的玻璃化转变温度。
3、热机械法（温度-变形法） 在加热炉或环境箱内对高分子聚合物的试样施加恒定载荷；记录不同温度下的温度-变形曲线。类似于膨胀计法，找出曲线上的折点所对应的温度，即为：玻璃化转变温度。
4、DTA法（DSC）以玻璃化温度为界，高分子聚合物的物理性质随高分子链段运动自由度的变化而呈现显著的变化，其中，热容的变化使热分析方法成为测定高分子材料玻璃化温度的一种有效手段。
目前用于玻璃化温度测定的热分析方法主要为差热分析（DTA和差示扫描量热分析法（DSC和热机械法）。以DSC为例，当温度逐渐升高，通过高分子聚合物的玻璃化转变温度时，DSC曲线上的基线向吸热方向移动。
A点是开始偏离基线的点。将转变前后的基线延长，两线之间的垂直距离为阶差ΔJ，在ΔJ/2 处可以找到C点，从C点作切线与前基线相交于B点，B点所对应的温度值即为玻璃化转变温度Tg。热机械法即为玻璃化温度过程直接记录不做换算，比较方便。
5、动态力学性能分析（DMA）法 高分子材料的动态性能分析（DMA）通过在受测高分子聚合物上施加正弦交变载荷获取聚合物材料的动态力学响应。对于弹性材料（材料无粘弹性质），动态载荷与其引起的变形之间无相位差（ε=σ0sin(ωt)/E）。
当材料具有粘弹性质时，材料的变形滞后于施加的载荷，载荷与变形之间出现相位差δ：ε=σ0sin(ωt+δ)/E。
将含相位角的应力应变关系按三角函数关系展开，
定义出对应与弹性性质的储能模量G’=Ecos（δ） 和对应于粘弹性的损耗模量G”=Esin（δ） E因此称为绝对模量E=sqrt(G’2+G”2) 由于相位角差δ的存在，外部载荷在对粘弹性材料加载时出现能量的损耗。粘弹性材料的这一性质成为其对于外力的阻尼。
阻尼系数 γ=tan（δ）=G’’/G’ 由此可见，高分子聚合物的粘弹性大小体现在应变滞后相位角上。当温度由低向高发展并通过玻璃化转变温度时，材料内部高分子的结构形态发生变化，与分子结构形态相关的粘弹性随之的变化。
这一变化同时反映在储能模量，损耗模量和阻尼系数上。下图是聚乙酰胺的DMA曲线。振动频率为1Hz。在-60和-30°C之间，贮能模量的下降，阻尼系数的峰值对应着材料内部结构的变化。相应的温度即为玻璃化转变温度Tg。
6、核磁共振法（NMR） 温度升高后，分子运动加快，质子环境被平均化（处于高能量的带磁矩质子与处于低能量的的带磁矩质子在数量上开始接近；N-/N+=exp(-E/kT)），共振谱线变窄。
到玻璃化转变温度，Tg时谱线的宽度有很大的改变。利用这一现象，可以用核磁共振仪，通过分析其谱线的方法获取高分子材料的玻璃化转变温度。
百度百科—TG
百度百科—玻璃化转变温度
在谈到整体设计的可靠性时，通过让 IC 结点温度远离绝对最大值水平，在环境温度不断升高的条件下保持PCB电路设计的完整性是一个重要的设计考虑因素。当逐步接近具体PCB电路设计中央芯片的最大功耗水平（Pd 最大值）时更是如此。进行散热完整性分析的第一步是深入理解 IC 封装热指标的基础知识。到目前为止，封装热性能最常见的度量标准是 Theta JA，即结点到环境测得（建模）的热阻。Theta JA 值也是最需要解释的内容。能够极大影响 Theta JA 测量和计算的一些因素包括：线迹：尺寸、成分、厚度和几何结构。热阻(Theta JA) 数据现在对使用新 JEDEC 标准的有引线表面贴装封装有效。实际数据产生于数个封装上，同时热模型在其余封装上运行。按照封装类型以及不同气流水平显示的 Theta JA 值来对数据分组。结点到环境数据是结点到外壳 (Theta JC) 的热阻数据。实际 Theta JC 数据会根据使用 JEDEC 印制电路板 (PCB) 测试的封装生成。通过访问散热数据，你可以将散热数据用于正使用的具体封装。这里，你会发现额定参量曲线、不同流动空气每分钟直线英尺 (LFM) 的 Tja，以及对你的设计很重要的其他建模数据。所有这些信息都会帮助你不超出器件的最大结点温度。尤为重要的是坚持厂商和 JEDEC 建议的封装布局原则，例如：那些使用 QFN 封装的器件。4下列各种设计建议可帮助你实施最佳的散热设计。既然你阅读了全部建模热概述，并且验证了电路板布局和散热设计，那么就让我们在不使用散热建模软件或者热电偶测量实际温度的情况下检查散热设计的实际好坏程度吧。产品说明书中的 Theta JA 额定值一般基于诸如 JEDEC #JESD51 的行业标准，其使用的是一种标准化的布局和测试电路板。因此，你的散热设计可能会不同，会有不同于标准的 Theta JA，这是因为具体的 PC 电路板设计需求。如果您想知道你的设计离最佳散热设计还有多远，那么请对你的 PC 电路板设计执行下列系统内测试。（尝试将电压设置到其最大可能值，以测试极端条件。）要想获得最佳结果，请使用一台烤箱（非热感应系统），然后靠近电路板只测量 Ta，因为烤箱有一些热点。如果可能，请在电路板底部使用一个热绝缘垫，以防止室温空气破坏测量。我们此处的测试中，我们只关心我们测试电路板上具体芯片的 Tj 情况。我们将其用作方程式的替代引用，该方程式计算得到具体测试 PC 电路板的热阻 Theta JA。它应该非常明显地表明我们的散热设计质量。如果芯片具有这种散热片，则对几块 PC 电路板进行测试以获得一些区域（例如：PowerPadTM）焊接完整性的较好采样，目的是正确使用这种独特的封装散热片技术。要找到 teF 允许的器件最大 Tj，请将 PC 电路板置入恒温槽中，同时器件无负载且仅运行在静态状态。缓慢升高恒温槽温度，直到 TEF 被触发。出现这种情况时恒温槽的温度点便为Tj，因为 Ta = Tj。这种情况下，功耗 (Pd) 必须处在非常低的静态水平，并且可被视作零。将该温度记录为 Tj。它将用于我们的方程式，计算 Theta JA。5 。其次，计算出您电路的最大 Pd。将恒温槽温度升高到产品说明书规定的 IC 最大环境温度以上约 10 或 15 度（将该温度记录为 Ta）。这样做会使 TEF 更快地通过自加热。现在，通过缓慢增加 Pd 直至 TEF 断开，我们将全部负载施加到 IC。在 TLC5940 中，我们改变外部电阻 R(IREF)，其设置器件的 Io 吸收电流。如果超高温电路有滞后，则电路会缓慢地温度循环，从而要求我们缓慢地降低 Pd 直至循环停止。这时，恒温槽温度应被记录为 Pd 最大值。最后，要获得您电路板的 Theta JA，请将测得的 Tj 值、Ta 值和 Pd 最大值插入到下列方程式中：Theta JA = (Tj-Ta)/Pd max 如果您拥有一个较好的散热设计，则该值应接近 IC 产品说明书中的 Theta JA。幸运的是，这种测试不依赖于外壳 (Tc) 或结点 (Tj) 的直接温度测量，因为很难准确地在现场测量到它们。小贴士：一定要将 PC 电路板放入恒温槽中几分钟。将Vsupply X Iq 加上理想 Pd，考虑 Iq 的 IC 功耗。这可能是也可能不是一个忽略因素。在本文一开始提及的情况中，如果您的设计的 Pd 接近 Pd 最大值，则您可以利用如下方法来改善散热设计：使用更好的散热定额封装。在 TLC5940 案例中，带散热垫 (PowerPad) 的 HTSSOP 可能更佳。增加PC 电路板铜厚度，其通过散热垫或者其他散热片器件来对 IC 散热。如果可能，利用气流来降低 IC 承受的最高环境温度。降低器件 Pd。在我们的测试中，可以通过如下几种方法完成这项工作：。降低V(LED)将一个串联电阻添加到 LED 电流通路。这样做不会改变设计的总功耗，但它会将 IC 封装的一些 Pd 移到外部串联电阻。总结：优秀的PCB电路设计人员要务必有一个稳健的电气设计，它可以在最高环境温度下处理极端电压和电流。很多时候，人们常常遗忘的方面或者一个较少考虑的方面是极端工作条件下封装的散热设计完整性。这可能是您的设计中一个更为重要的方面，因为它在很大程度上决定着电路的可靠性。这里说的是一种就散热方面而言确定最佳设计的相对快速和简单的方法，其无需一些笨拙或耗时的方法，或者价格昂贵的软件分析。另外还介绍了一些降低 Pd 或者至少降低 IC 封装自身功耗的一些方法。
