为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical?MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
是IRFP450，首字母是I不是1，而且这是场效应管，不是三极管。可以使用24NM65N、21NM60、15NM60、STP21NM60N_08代替，代替原则是参数相当或更强。
24NM65N参数：650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET?
21NM60、15NM60、STP21NM60N_08参数：600V 17A 140W 0.17Ω N-MOSFET
扩展资料：
IRFP450的参数：
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400毫欧@ 8.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：14A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2600pF @ 25V
功率-最大：190W
封装/外壳：TO-247AD
百度百科-IRFP450
