单向半波可控整流带大电感负载，在负半周可控硅截止时，电感负载会产生很高的反向感应电动势，此反向电动势足以使可控硅击穿烧毁，加续流二极管后可使反向电动势泄放为二极管的正向压降（约0.7v），从而有效保护可控硅。
由于三相可控整流电路主电路中的晶闸管交流电源的相位与对应晶闸管的触
发电路中的同步交流信号相位相差
180
°当电源三相进线相序接反时，晶闸管电
源相位与相应触发相位不同步，造成晶闸管受正压时无触发脉冲，或晶闸管有触
发脉冲时受反压，晶闸管不能导通，电路输出掉波形，输出减小。
单相半波可控整流电路试验中,为什么电源反向时电路接通
核心提示单向半波可控整流带大电感负载，在负半周可控硅截止时，电感负载会产生很高的反向感应电动势，此反向电动势足以使可控硅击穿烧毁，加续流二极管后可使反向电动势泄放为二极管的正向压降（约0.7v），从而有效保护可控硅。由于三相可控整流电路主电路中的晶
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