趋肤效应：电场形成与原电流相反的电流密度，在导体中心处，这种效应最强烈，致使导体中心的电流密度明显减小，随着频率的增高，电流趋于导体表面。
传输线：用来传输电磁信号能量和构成各种微波元器件。常见的射频传输线有平行线、同轴线、波导、带状线、微带线等。
特性阻抗Zc：指传输线上的行波电压和行波电流,或入射波电压对入射波电流之比，可表示为：Z0=R0+jX0，其中R0为特征电阻，X0为特征电抗。
传播常数: 决定波的传播范围 (衰减常数+相移常数）
传输线边界条件：终端条件、源端条件和电源、阻抗条件。
传输线阻抗公式特征：（1）半波长阻抗重复性 （2）1/4波长阻抗倒置性 -具有阻抗变换作用
均匀无耗传输线有三种工作状态
1)ZL=ZO时，传输线工作于行波状态(全匹配状态)。只有入射波，电压电流振幅不变，相位沿传播方向滞后；沿线的阻抗均等于特性阻抗；电磁能量全部被负载吸收。
2)ZL=0、∞、±jX时，工作于驻波状态（ZL=0，Γ=-1）。线上入射波和反射波的振幅相等，驻波的波腹为入射波的两倍，波节为零；电压波腹点的阻抗为无限大，电压波节点的阻抗为零，沿线其余各点的阻抗均为纯电抗；没有电磁能量的传输，只有电磁能量的交换。
3)ZL＝RL＋jXL时，工作于行驻波状态。行驻波的波腹小于两倍入射波，波节不为零；电磁能量一部分被负载吸收，另一部分被负载反射回去。
入射波: e -jBz沿正z方向以Vp速度传输的波，(反之为反射波)。
分析思路： 1分离变量法 2 归一化分析 3共轭 互易 镜像定理
传输线传输的波型（场结构、模式）
反射系数Γ：反射波与入射波之比(电压或电流）Γ=(ZL-Zo）/ (ZL+Zo），为0时全匹配，为1时全反射。
驻波比ρ: 沿线电压最大值与最小值之比，衡量失配的程度 ρ=（1+Γ)/（1-Γ) ,为大于1的无量纲实数,匹配时为1，全反射为无穷。
回波损耗RL(dB): 传输线端口反射波功率与入射波功率之比，表征端口不匹配引起的反射损耗程度。RL=-20log|Γ|dB
插入损耗IL: 在传输系统的某处由于器件或分支电路的加进某一电路时，能量或增益的损耗。是射频信号经过该器件的输出功率与输入功率之比
短路线-谐振器：短路线在驻波状态，电压和电流相位差pi/2，当为1/4波长时，呈现并联谐振，当为1/2波长时，呈现串联谐振。
S参数：S矩阵(散射矩阵)： 表征端口网络的激励/响应关系
在一P1,P2二端口网络中，输入端口P1的规一化入射波电压为a1,规一化反射电压为b1;输出端口P2的相应入射波电压为a2,反射波电压为b2
S11＝（b1/a1）a2＝0，为端口P2接匹配负载时端口P1的反射系数。
S21＝（b2/a1）a2＝0 ，为端口P2接匹配负载时端口P1到端口P2的传输系数，描述二端口网络的损耗或增益特性。
S22＝（b2/a2）a1＝0，为端口P1接匹配负载时端口P2的反射系数。
S12＝（b1/a2）a1＝0，为端口P1接匹配负载时端口P2到端口P1的隔离度。表示除2端口外其余端口接匹配负载时2端口到1端口的传输系数。对于多端口网络的S参数描述与两端口网络相同。
S参数的优势：在射频测量中，端口的电压和电流是不易直接测量的，直接测量的一般是入射波功率。由于辐射，直接的开路是不易实现
的，而容易实现的是短路和匹配。所以，直接测量S矩阵更容易实现。
三点法测试S参数： 分别测出负载为匹配负载，开路、短路时的输入反射系数，就可以确定互易双端口网络的散射参数（S12=S21）
电磁场唯一性定理
1如果给定一个封闭面上的切向电场或切向磁场，则内部区域中的电磁场唯一确定。
2 只需给定参考面上的切向电场或切向磁场，则不连续性区域中的场唯一给定。
3 给定每个端口上电压(对应端口的切向电场)或电流(对应端口的切向磁场) (激励)，共n个量，则端口上其余的n个电流或电压(响应)就唯一确定了。
传输线可分解为横向问题与纵向问题：
1横向问题对应场的横向因子满足的方程。
2纵向问题对应场的纵向因子满足的方程。
3 传输线的纵向问题相同
TEM 横电磁波 Ez=Hz=0 即无纵向场分量，横向场与静态场相同，只能存在于多导体系统
TE模 Ez=0 Hz不为0
TM模 Ez不为0 Hz为0 恒磁
相速度：等相位面沿传输线纵向移动的速度(大于光速)
群速度：许多频率组成的波群（信号）的速度，代表信号能量传播的速度。
色散：速度随着频率(波长）的变化而改变的特性，TE TM为色散波。
波导波长(相波长):波沿纵向的两相邻等相位面之间的距离，或等相面在一个周期内传播的距离。对于TEM波，其等于空间波长
波阻抗：相互正交的横向电场与横向磁场的模之比。对于TEM波，其等于介质波阻抗，如空气中为376.7欧姆
射频电路的建模本质上就是电磁场问题，利用微波网络方法：将射频电路分解为传输线和不连续性的组合，然后对传输
线和不连续性分别建模。
传输线建模：把传输线等效为双线，用特征参数-特性阻抗和传播常数表征。单模传输线等效为一条双线，m模传输线等效为m条传输线。
不连续性建模：可以采用集总等效电路模型，也可以采用网络矩阵表征。
于是，通过建模，射频电路等效为由传输线和不连续性网络构成的电路。射频电路就可以采用电路理论分析和设计，“场方法”转化为“路方法”，把复杂的三维电磁场问题转变为一维电路问题。
求大学物理遏止电势差的求法，公式
影响天线性能的临界参数有很多，通常在天线设计过程中可以进行调整，如谐振频率、阻抗、增益、孔径或辐射方向图、极化、效率和带宽等。另外，发射天线还有最大额定功率，而接收天线则有噪声抑制参数。
1 谐振频率
“谐振频率”和“电谐振”与天线的电长度相关。电长度通常是电线物理长度除以自由空间中波传输速度与电线中速度之比。天线的电长度通常由波长来表示。天线一般在某一频率调谐，并在此谐振频率为中心的一段频带上有效。但其它天线参数（尤其是辐射方向图和阻抗）随频率而变，所以天线的谐振频率可能仅与这些更重要参数的中心频率相近。
天线可以在与目标波长成分数关系的长度所对应的频率下谐振。一些天线设计有多个谐振频率，另一些则在很宽的频带上相对有效。最常见的宽带天线是对数周期天线，但它的增益相对于窄带天线则要小很多。
2 增益
“增益”指天线最强辐射方向的天线辐射方向图强度与参考天线的强度之比取对数。如果参考天线是全向天线，增益的单位为dBi。比如，偶极子天线的增益为2.14dBi 。偶极子天线也常用作参考天线（这是由于完美全向参考天线无法制造），这种情况下天线的增益以dBd为单位。
天线增益是无源现象，天线并不增加激励，而是仅仅重新分配而使在某方向上比全向天线辐射更多的能量。如果天线在一些方向上增益为正，由于天线的能量守恒，它在其他方向上的增益则为负。因此，天线所能达到的增益要在天线的覆盖范围和它的增益之间达到平衡。比如，航天器上碟形天线的增益很大，但覆盖范围却很窄，所以它必须精确地指向地球；而广播发射天线由于需要向各个方向辐射，它的增益就很小。
碟形天线的增益与孔径（反射区）、天线反射面表面精度，以及发射/接收的频率成正比。通常来讲，孔径越大增益越大，频率越高增益也越大，但在较高频率下表面精度的误差会导致增益的极大降低。
“孔径”和“辐射方向图”与增益紧密相关。孔径是指在最高增益方向上的“波束”截面形状，是二维的（有时孔径表示为近似于该截面的圆的半径或该波束圆锥所呈的角）。辐射方向图则是表示增益的三维图，但通常只考虑辐射方向图的水平和垂直二维截面。高增益天线辐射方向图常伴有“副瓣”。副瓣是指增益中除主瓣（增益最高“波束”）外的波束。副瓣在如雷达等系统需要判定信号方向的时候，会影响天线质量，由于功率分配副瓣还会使主瓣增益降低。
增益是指：在输入功率相等的条件下，实际天线与理想的辐射单元在空间同一点处所产生的信号的功率密度之比。它定量地描述一个天线把输入功率集中辐射的程度。增益显然与天线方向图有密切的关系，方向图主瓣越窄，副瓣越小，增益越高。可以这样来理解增益的物理含义——为在一定的距离上的某点处产生一定大小的信号，如果用理想的无方向性点源作为发射天线，需要100W的输入功率，而用增益为 G = 13 dB = 20 的某定向天线作为发射天线时，输入功率只需 100 / 20 = 5W 。换言之，某天线的增益，就其最大辐射方向上的辐射效果来说，与无方向性的理想点源相比，把输入功率放大的倍数。
半波对称振子的增益为G=2.15dBi。
4个半波对称振子沿垂线上下排列，构成一个垂直四元阵，其增益约为G=8.15dBi ( dBi这个单位表示比较对象是各向均匀辐射的理想点源)。
如果以半波对称振子作比较对象，其增益的单位是dBd。
半波对称振子的增益为G=0dBd（因为是自己跟自己比，比值为1，取对数得零值。）垂直四元阵，其增益约为G=8.15–2.15=6dBd。
增益特性：
⑴天线是无源器件，不能产生能量，天线增益只是将能量有效集中向某特定的方向辐射或接收电磁波能力。
⑵天线增益由振子叠加而产生，增益越高，天线长度越长。
⑶天线增益越高，方向性越好，能量越集中，波瓣越窄。
3 带宽
天线的带宽是指它有效工作的频率范围，通常以其谐振频率为中心。天线带宽可以通过以下多种技术增大，如使用较粗的金属线，使用金属“网笼”来近似更粗的金属线，尖端变细的天线元件（如馈电喇叭中），以及多天线集成的单一部件，使用特性阻抗来选择正确的天线。小型天线通常使用方便，但在带宽、尺寸和效率上有着不可避免的限制。
4 阻抗
“阻抗”类似于光学中的折射率。电波穿行于天线系统不同部分（电台、馈线、天线、自由空间）是会遇到阻抗差异。在每个接口处，取决于阻抗匹配，电波的部分能量会反射回源，在馈线上形成一定的驻波。此时电波最大能量与最小能量比值可以测出，称之为驻波比（SWR）。驻波比为1:1是理想情况。1.5:1的驻波比在能耗较为关键的低能应用上被视为临界值。而高达6:1的驻波比也可出现在相应的设备中。极小化各处接口的阻抗差（阻抗匹配）将减小驻波比并极大化天线系统各部分之间的能量传输。
天线的复阻抗涉及该天线工作时的电长度。通过调节馈线的阻抗，即将馈线当作阻抗变换器，天线的阻抗可以和馈线和电台相匹配。更为常见的是使用天线调谐器、巴伦、阻抗变换器、包含电容和电感的匹配网络，或者如伽马匹配的匹配段。
5 辐射方向图
半波双极子天线（同上）增益（dBi）辐射方向图是天线发射或接受相对场强度的图形描述。由于天线向三维空间辐射，需要数个图形来描述。如果天线辐射相对某轴对称（如双极子天线、螺旋天线和某些抛物面天线），则只需一张方向图。
不同的天线供应商/使用者对于方向图有着不同的标准和制图格式。
6 特性阻抗
无限长传输线上各处的电压与电流的比值定义为传输线的特性阻抗，用Z0 表示。同轴电缆的特性阻抗的计算公式为
Z。=〔60/√εr〕×Log ( D/d ) [ 欧]。
式中，D 为同轴电缆外导体铜网内径； d 为同轴电缆芯线外径；
εr为导体间绝缘介质的 相对介电常数。
通常Z0 = 50 欧 ，也有Z0 = 75 欧的。
由上式不难看出，馈线特性阻抗只与导体直径D和d以及导体间介质的介电常数εr有关，而与馈线长短、工作频率以及馈线终端所接负载阻抗无关。
7 衰减系数
信号在馈线里传输，除有导体的电阻性损耗外，还有绝缘材料的介质损耗。这两种损耗随馈线长度的增加和工作频率的提高而增加。因此，应合理布局尽量缩短馈线长度。
单位长度产生的损耗的大小用衰减系数 β 表示，其单位为 dB / m （分贝/米），电缆技术说明书上的单位大都用 dB / 100 m（分贝/百米） .
设输入到馈线的功率为P1 ，从长度为 L（m ）的馈线输出的功率为P2 ，传输损耗TL可表示为：
TL = 10 ×Lg ( P1 /P2 ) ( dB )
衰减系数为
β = TL / L ( dB / m )
例如， NOKIA 7 / 8英寸低耗电缆， 900MHz 时衰减系数为 β= 4.1 dB / 100 m ，也可写成 β=3 dB / 73 m ， 也就是说， 频率为 900MHz 的信号功率，每经过 73 m 长的这种电缆时，功率要少一半。
而普通的非低耗电缆，例如， SYV-9-50-1， 900MHz 时衰减系数为 β = 20.1 dB / 100 m ，也可写成β=3dB / 15 m ，也就是说， 频率为 900MHz 的信号功率，每经过15 m 长的这种电缆时，功率就要少一半。
8 输入阻抗
定义：天线输入端信号 电压与信号电流之比，称为天线的输入阻抗。 输入阻抗具有电阻分量 Rin 和电抗分量 Xin ，即 Zin = Rin + j Xin 。电抗分量的存在会减少天线从馈线对信号功率的提取，因此，必须使电抗分量尽可能为零，也就是应尽可能使天线的输入阻抗为纯电阻。事实上，即使是设计、调试得很好的天线，其输入阻抗中总还含有一个小的电抗分量值。
输入阻抗与天线的结构、尺寸以及工作波长有关，半波对称振子是最重要的基本天线 ，其输入阻抗为 Zin = 73.1+j42.5 (欧) 。当把其长度缩短（3～5）%时，就可以消除其中的电抗分量，使天线的输入阻抗为纯电阻，此时的输入阻抗为 Zin = 73.1 (欧) ,（标称 75 欧） 。注意，严格的说，纯电阻性的天线输入阻抗只是对点频而言的。
顺便指出，半波折合振子的输入阻抗为半波对称振子的四倍，即 Zin = 280 (欧) ,（标称300欧）。
有趣的是，对于任一天线，人们总可通过天线阻抗调试，在要求的工作频率范围内，使输入阻抗的虚部很小且实部相当接近 50 欧，从而使得天线的输入阻抗为Zin = Rin = 50 欧——这是天线能与馈线处于良好的 阻抗匹配所必须的。
9 工作频率
无论是发射天线还是接收天线，它们总是在一定的 频率范围（频带宽度）内工作的，天线的频带宽度有两种不同的定义：
一种是指：在 驻波比SWR ≤ 1.5 条件下，天线的工作频带宽度；
一种是指： 天线增益下降 3 分贝范围内的频带宽度。
在 移动通信系统中，通常是按前一种定义的，具体的说，天线的频带宽度就是天线的驻波比SWR 不超过 1.5 时，天线的工作 频率范围。
一般说来，在工作频带宽度内的各个频率点上, 天线性能是有差异的，但这种差异造成的性能下降是可以接受的。
概念（定义和公式）
1。位置矢量：在直角坐标系中，角位置：THETA
2。速度：一般速度：速度：（）角速度：
角速度与速度的关系：V =RΩ
3。加速度：平均加速度：角加速度：
自然坐标系（=Rβ），（= R2 OMEGA）
4。扭力：= M（=）：（尺寸：M =rFcosθ方向：右手螺旋法则）
5。动量：角动量：（尺寸：L =rmvcosθ方向：右手螺旋法则）
6。冲动：（△T）;功能：（气外功：A =∫PDV）
毫克（重力）→MGH
KX（弹性力）→KX2 / 2
F = （万有引力）→= EP
（静电）→
7。动能：MV2 / 2
8。势能：保险= - 不同的相互作用的增加率和力潜在的能量以不同的形式和零选择不同的形式，在默认势能为零的情况下：
机械能：E = EK + EP
9 。热：其中：C和过程摩尔热容，等容热容CV和等压热容CP之间的关系：CP = CV + R
10。压力：
11。分子平均平动能：理想气体：
12。麦克斯韦速率分布函数：（意为：V单元附近的速度间隔百分比中的分子数）
13。平均速率：
平方根率：最有可能的利率如下：
14。熵：在S =KlnΩ（欧米茄热力学概率，即：宏观状态包含一些微观）
15。电场强度：= / Q0（收费:)
16。潜力：（点电荷）;电势能：WA =条件（A =-AW）
17。电容：C = Q / U;储能电容：W = CU2 / 2;电场能量密度振动频率ωe=ε0E2/ 2
18。磁感应强度大小，B =的Fmax / QV（T）（S→N）磁针指向的方向。
法律和定理
1。矢量叠加原理：任何载体可以被视为独立分量。即：=Σ（替换技巧，分别将是位置，速度，加速度，力，电场强度和磁感应强度的叠加原理）。
2。牛顿定律：= M（=）;牛顿第三定律：'=万有引力定律：
3。动量定理：→动量守恒的条件
4。角动量：→角动量守恒的条件
5。动能原则：（势能定义:)
6。功能原理：A + A-保罗=三角洲E→机械能守恒：三角洲E = 0条件A + A非保罗= 0
7。理想气体状态方程：P = NKT（N = N / V，K = R/N0）
8。能量均分原理：在平衡状态下，自由分子的物质具有相同的平均动能，其大小/ 2 kT的每度。
克劳修斯说法：不可能从一个冷的物体无其他影响到高温物体的热。
开尔文的说法：它是不可能从单一热源吸取热量，因此完全转化为有用的工作，没有其他影响。 />物质的过程中发生的内部隔离系统，总是由热力学概率状态的宏观状态的热力学概率。即的过程中发生的内部分离系统总是沿的方向增加障碍。
9。热力学第一定律：ΔE= Q + A
10。热力学第二定律：孤立系统：ΔS> 0
（熵增原理）
11。库仑定律：
（K =1/4πε0）
12。高斯定理：（静电场是一个活跃的领域）→无限平面：E =带电椭球
13。环路定理：（静电场无旋，因此保守场）
河
QL P O
14。比奥 - 沙伐的法：
长直的载流线：
一个无限的线制：
载波圈弧：
大学物理第二学期公式设置
的电磁
1。定义：
= / Q0单位：N / C = V / m时
乙= FMAX / QV;（S→N）磁针指向的方向;单位：特斯拉（T）= 104高斯（ G）
（1）：
= Q（x）的洛仑兹公式
（2）潜力：
电势差：电动势：（）
（ 3）电通量：光通量：光通量链：FB =NφB单位：韦伯（WB）
THETA⊕
-Q的+ Q
（4）电偶极矩： q磁时刻：= I = IS
⑤电容：C = Q / U单位：法拉（F）
*自我电感：L =Ψ/ I单位：亨利（H）
> *互感：M =Ψ21/ I1 =Ψ12/I2单位：亨利（H）
⑥电流：I =;位移电流：ID =ε0单位：安培（A） BR />⑦*能流密度：BR p> 2。实验法
①库仑定律：②毕奥 - 沙伐定律：（3）安培定律：D = I×
（4）电磁感应定律：感 - 动生电动势： BR />感应电动势（感应电场）
⑤欧姆定律：U = IR（= P）其中ρ为电导率
3。 *定理（麦克斯韦方程组）
电场的高斯定理：（静态是一个活跃的领域）
（被动场感）
磁场的高斯定理：（稳定的被动场）（感觉被动字段）
电场环路定理：（静电场无旋）
（感生电场旋转变化的磁场感生电场）安培：（静态磁场旋转）
（变化的电场感应磁场）
4。常用的公式
（1）无限丝：电磁铁：B =nμ0I
（2）带电粒子在匀强磁场中：半径周期
在匀强磁场中的磁矩：力F = 0;扭矩
（3）储能电容：WC = CU2 *电场能量密度：振动频率ωe=ε0E2电磁场能量密度：W =ε0E2+
B2 *电感储能： WL = LI2 *磁场能量密度：ωB= B2电磁场的能流密度：S =ΩV
④*电磁波：C = 3.0×108米/ s的介质中的V = C / N和频率f = V =
1。定义和概念
谐波方程：X t时刻相“
幅度
西安= ACOS（WT +披2πx/λ）简谐运动方程为：西安= ACOS（重量+ PHI）
波形方程：ξ= ACOS（2πx/λ+φ'）
相皮皮的金额 - 决定振动的振幅
- 最大的振动量确定的初始状态X0 =Acosφ
早期阶段吗？ - X = 0，在t = 0期（X0，V0）V0 =Aωsinφ
频率V - 每秒
圆频率振动欧米茄=2πν决定波源，如：相了弹簧振子欧米茄= 周期T - 振动时间摆欧米茄=
波速度V - 波的传播速度或能量的传播速度。决定在媒体上，如：绳V =速度的光V = C / N
空气V =
波干扰：同一方向的振动，频率，相位差恒定的波叠加。 />光路：L = nx个（即光通过产品的几何距离，介质的折射率。
相位突变：波密中波从较薄的介质突变圆周率相波（相当于为λ/ 2的光路）
拍：类似的频率振动合成的震动。
驻波：两个相同的，只有在相反方向的波的合成波
比S标准普尔多普勒效应：频率由于源观察者的相对运动的变化。
衍射光偏离直线
自然光：一般光源光
偏振光（也称为直线偏振光，或者所述平面偏振光）：仅在一个方向的振动分量的光
偏振光的一部分的每一个的光的振动方向可以是不等概率方法，定律和定理
的欧米茄披
牛
①视为光垂直于对方的类型和两个振幅合成
2。旋转矢量方法：
A1 A2
牛
图简谐运动（可选）ξ= ACOS（ωT+φ）可以被视为初始角位置φ的投影欧米茄在x方向逆时针旋转矢量
相干光合成振幅：
：Δφ= F1-φ2（R2-R1）当Δφ= BR />当φ1，φ2？= 0，光程差δ=（R2-R1）=
②惠更斯原理：（使用新的波面波的波阵面的包络面确定波的传播方向）的
I1 I2 THETA马吕斯定律
（3）菲涅耳原理：波面波相干叠加来确定，他曾担任振动
（4）*平邑法：I2 =I1cos2θ
⑤*布儒斯特定律：BR /> IP
叶N1 +γ= 90°
N2
伽玛布鲁斯特的法律IP地址是当入射光的入射角的反射光的振动垂直的平面的入射偏振叶时，所述布儒斯特角，其满足：
的甘油三酯ip = N2/N1
（3）公式
振动能量：EK = MV2 / 2 = EK（T）E = EK + EP = KA2 / 2
EP = KX2 / 2 =（T）
*波能量：I =αA2
*驻波比：
←拉姆达→
波节间距D =λ/ 2
根本波长λ0= 2L
基带：ν0=V/λ0= V/2L;
谐波频率：V =nν0
*多普勒效应：
机械波（VR - 观察者速度; VS - 波源速度）光Vr为光源和观察者的相对速度。
eTHETA AY
杨氏双缝：dsinθ=Kλ（穗）
θ≈SINθ，≈Y /e
条纹间距AY = D /λD
THETA
f>
单缝衍射（Fraunhofer衍射）：
asinθ=Kλ（暗纹）
THETA≈SINθ，≈Y / f
瑞利判据：
θmin= 1 / R =1.22λ/ D（最小分辨角）
e
THETA
F
>光栅：
dsinθ=Kλ（边缘或主极大地满足的条件）
tgθ= Y / f
D=
薄膜干涉的1 / n = L / N（光栅常数）：（垂直入射）
N1
吨N2
N3
三角洲反= 2n2t +δ0δ0= 0
增加抗λ/ 2极
：三角洲反=（2K +1）λ/ 2
抗AR：三角洲=Kλ
现代物理
（一）量子力学
1普朗柯蒂斯能量量子化：E =最小的能量值（HV）
2。爱因斯坦的光子假说：束光子通量。
光电效应方程：hν的= MV2 + A彝族功能=hν0的（V0红色极限频率）
最大初动能MV2 = EUA（UA路边电压）
3德布罗意提出物质波理论：物理粒子波动。
实物粒子具有波粒二象性：E = HV = mc2的对比度光二象性：E = HV = MC2
P = H /拉姆达= mV的P = H /λ= MC
注意：物理粒子：> 0和V≠C /拉姆达也V≠V /拉姆达和光子：M0 = 0和V = C /λ
海森堡不确定关系：ΔxΔpx≥h/4πΔtΔE≥h/4π波函数的意义：=粒子在时间t r的概率密度。
所拥有的条件之一：Ψ标准条件：连续的，有限的，单值。
（二）狭义相对论的：
两个基本假设：①速度的光相同的原则：真空中的光速在所有惯性系中，无论光源运动。
②狭义相对论相对论：所有物理定律在所有惯性系
洛伦兹变换是真实的：
西格玛“系部SIGMA西格玛系统→→西格玛”系
=伽玛（ '+ VT'）X'=γ（X - VT）
Y = Y''= Y
Z = Z'Z'= Z
T =γ（T'+ VX '/ C2）T'=γ（t-vx/c2）
说公测=收缩因子。
特殊的相对论伽玛≥0所谓的膨胀系数：V总低于C级;时间与空间：
①异性在同一时间：ΔT=γ（ΔT'+vΔx/ C2），ΔT= 0，一般三角洲T≠0 X'/ C2作为一个同时系数 BR />②长度较短的运动：AX = AX /伽玛≤AX'
（3）运动：慢时钟三角洲T =伽玛三角洲T≥三角洲T
几个重要的动态关系：BR /> M =γm0
②①质速关系质能关系= mc2的粒子静止能量为：E0 = m0c2
粒子动能：EK = mc2的 - m0c2 =
V << C，EK≈MV2 / 2
*（3）动量和能量的关系：E2-P2C2 = E02
*的速度变换关系：
西格玛'部→西格玛部：
西格玛→西格玛部门：
