模拟电子技术基础的内容简介

核心提示本书第1版自2000年出版以来,被许多高职院校选用为教材,得到广大师生的关心,也积累了一些有价值的反馈意见。我们在第1版教材中坚持按照高职高专工程技术教育的人才培养目标,对模拟电子技术基础理论课进行了深化改革,强调理论与应用相结合的原则,在

本书第1版自2000年出版以来,被许多高职院校选用为教材,得到广大师生的关心,也积累了一些有价值的反馈意见。我们在第1版教材中坚持按照高职高专工程技术教育的人才培养目标,对模拟电子技术基础理论课进行了深化改革,强调理论与应用相结合的原则,在第2版修订时,又增添了部分内容,重新编写了各章的练习题,引导学生能运用基本概念、基本原理和基本分析方法来提高分析问题的能力,使教材更符合当前电子技术课程教学的需要,更有利于课程的教学和知识的应用。

针对高职高专工科电类专业的特点,教材分基础篇和应用篇两部分。基础篇为模拟电路的基础知识,内容有二极管电路、晶体管放大电路、场效应晶体管放大电路、集成运算放大器、负反馈放大电路、集成运算放大器基本应用电路、功率放大电路、波形发生和变换电路、直流稳压电源、晶闸管及其应用、电子电路的读图;应用篇有较多短小精练的实用电路,各章附有颇具特色的习题。

画直流通路方法:令输入为零(即电压源短路、电流源开路),电容器(如果有)开路。

对于本题,有ui=0,即输入端(Rb左边)接地。此时,由基尔霍夫电压定律KVL,R(b)的端电压(由I(BQ)产生)与BJT发射结压降U(BEQ)之和等于VEE,I(BQ)可由此求出。

I(CQ)与I(BQ)由β联系。

由基尔霍夫电压定律KVL,R(c)的端电压(由I(CQ)产生)与BJT集-射压降U(CEQ)之和等于VCC+VEE。

 
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