三极管放大器是一种电子放大器，它使用三极管作为元件来放大输入信号的幅度。这种放大器可以对输入信号进行非常大的放大，并且可以将输入信号的幅度放大数千倍。
三极管放大器的工作原理是利用三极管的特性来放大输入信号的幅度。三极管具有导通和非导通两种状态，在导通状态下，三极管可以将输入信号的幅度放大数千倍。
三极管放大器分为两种类型：直流放大器和交流放大器。直流放大器可以对直流信号进行放大，而交流放大器则可以对交流信号进行放大。
直流放大器通常由单个三极管和几个支持电路元件组成，而交流放大器则通常由多个三极管和支持电路元件组成。
在使用三极管放大器时，需要注意输入信号的幅度不能太大，否则可能导致三极管过热或破坏。
三极管放大作用的原理是什么?
在三极管的
集电极
与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成
电压放大
为什么接了个电阻就可以将电流放大转换成电压放大
说下原理
可以吗
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在基本的
放大电路
中，我们通常看到集电极与集电极电阻中间，
分接
了一个
耦合电容
，且它的值一般都有取得比较大，因它与地构成交流的输出端;基极耦合电容.基极电阻.基B到射E.最后到地构成输入.
一.电流的放大.
三极管在某个电路里,如果有一个小的信号流入电路,它的路
线为从基极耦合电容
到基极电阻到基B到射E,最后到地.
注入的信号电流改变了三极管内部电子的运动,即由BE的电流变化,引起CE的电流变化,电路空载时,CE的
电压变化
是较小的.当然,我现在不去理CE的变化怎么样,反正三极管的内部电子运动发生了变化,这是肯定的.那么输入的信号电流,引起了电路电源的电流经过集电极电阻到C到E,再到电路电源的负端,即C到地端的电流有了一定的流动,那么,我把这理解为
基极电流
的改变引起了集电极电流的改变,也把它理解作电流的放大.
二.电流放大转换成电压放大?
输入电流引起了集电极电流的变化,我们看到在集电极上端接了一个
阻值
不是很大的电阻,这个电阻在这里起了重要作用----有了集电极电流在串联路线的流动,当它经过集电级电阻时,在这个电阻上肯定要产生一定的压降,比如电源电压为12伏时,假如在电阻两端产生了5伏电压,那么就是12-5=7伏.
这个电路在
没有信号
时,假如输出为12伏电压,在有信号时,输出7伏电压,那么我们可以认为这个放大电路工作在7伏与12伏状态下.我们可
不可以这样
考虑呢--小的
输入信号
电流的
有与无
,最终成为了
输出信号
的电压变化了.我是这样理解的:小的输入信号它的电流很微弱,电压也很微弱,但经过三极管的放大作用,输入信号的电压由很小变为了7伏,它变强了.
还有,共发射极电路,
输入电阻
越大越好,输出越
小越
好?
有点不明白?
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我认为,只要是放大电路,都是输入电阻越大越好,输出越小越好.
我是这样理解的:如有某个三极管放大电路,它的输入电阻为101千欧(100千欧的基极电阻+1千欧的BE间电阻),它消耗
信号源
功率
P=U*U(不去理它信号电压为多少)/R=U*U/101千欧(单位:mW)
当然R越大,值越小,消耗的信号源信号也就小了,且整个电路的消耗电能也就小了.
输出越小越好?--什么是
输出电阻
呢?
比如在那个基本的三极管放大电路中,Rl(负载本身的电阻)+Rc(集电极电阻)就是电路的输出电阻了.
Rl+Rc的值越大,在集电极电阻和负载上消耗电能越多,
那当然
不经济.
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
NPN和PNP型三极管
-- 三极管工作原理 --
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。
两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数
由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie
Ic与Ie是直流通路中的电流大小
式中：α1也称为直流放大倍数
一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为交流共基极电流放大倍数
同理α与α1在小信号输入时相差也不大
对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系：
三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
-- 放大原理 --
01 发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
02 基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
03 集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
