四R-S锁存器 54LS279/74LS279
序号:1－55
生产厂家:TEXAS、MOROTOLA、NATIONAL。
特性：LS279为四个R-S锁存器，其主要电特性的典型植如右： tpd PD
12ns 19mW
四个锁存器中有两个具有置位端（SA，SB）。
当S为低电平、R为高电平时，输出端（Q）为高电平。当S为高电平、R为低电平时,Q为低电平。
当S和R均为高电平时，Q被锁在已建立的电平。当S和R均为低电平时，Q为稳定的高电平状态。
对SA和SB，S的低电平表示只要有一个为低电平，S的高电平表示SA和SB均为高电平。
封装：采用DIP－16封装。
替换型号:CT54LS279/CT74LS279、SN54LS279/SN74LS279。
逻辑图：如图1－55－1所示。
逻辑符号：如图1－55－2所示。
管脚排列：如图1－55－3所示。
引脚功能定义：
1Q～4Q： 输出端；
1S～4S： 置位端（低电平有效）；
1R～4R： 复位端（低电平有效）。
极限参数：
电源电压………………………………………7V
输入电压………………………………………7V
工作环境温度：
54LS279………………－55～125℃
74LS279………………………0～70℃
贮存温度………………………－65～150℃
推荐工作条件：如表1－55－1所示。
静态特性：如表1－55－2所示。
表1－55－1 推荐工作条件：
参 数
54LS279 74LS279 单 位
最 小 额 定 最 大 最 小 额 定 最 大
电源电压 VCC 4.5 5
5.5 4.75 5 5.25 V
输入高电平电压 VIH 2 2 V
输入低电平电压 VIL 0.7 0.8 V
输出高电平电流 IOH -400 -400 μA
输出低电平电流 IOL 4 8 mA
表1－55－2 静态特性：
参 数 测 试 条 件 54LS279 74LS279 单位
最小 最大 最小 最大
输入钳位电压 VIK VCC=4.5V,IIK=-18mA [1] -1.5 -1.5 V
输出高电平电压 VOH VCC=4.5V,VIH=2V，
VIL=0.8V,IOH=-400μA [2] 2.5 2.7 V
输出低电平电压 IOL
VCC=4.5V,VIH=2V,
VIL=0.8V,IOL=8mA [5] 0.4 0.5 V
最大输入电压时输入电流 II VCC=5.5V,VI=7V [11] 0.1 0.1 mA
输入高电平电流 IIH VCC=5.5V,VIH=2.7V [12] 20 20 μA
输入低电平电流 IIL VCC=5.5V,VIL=0.4V [13] -0.4 -0.4 mA
输出短路电流 IOS VCC=5.5V [21] -20 -100 -20 -100 mA
输出高电平时电源电流 ICC VCC=5.5V,所有R接地，
所有S接4.5V。 [25] 7 7 mA
注：[n]表示见静态特性测试方法n。
芯片的内部结构超级超级复杂，要不然不会到目前为止我们国家还没有自己的高级芯片。
所以说，某一个芯片内部结构除了设计师以外是没人知道的。
但是，芯片的功能确实是通过这些与、或、非门的组合实现的。
输入高低电平的高低，一般来说与外部的电源有关。但是，正不一定是1，也可以是0，这由芯片自己所要实现的功能相关，或者说根据设计而定。可以确定的是，1、0（0、1）和正负一样，都是成对出现的。没有0，也就没有1了。
所以，接地，是为单片机提供一个“标准”：这是0（或者1）。才会有相对的1（或者0）。
对于具体的单片机，这些是确定的，比如51单片机，vcc（正端）和vss（接地），接线时电源正极接vcc，电源负极接vss，输出1表示高电位，0表示低点位。
