1. 衬底p-Si
ρ=30~50Ω?cm
2. 初始氧化
SiO2 层厚度250 A
氧化后淀积Si3N4
Si3N4厚度1400 A
3. 光刻Ⅰ
场区光刻，刻掉场区的Si3N4
不去胶,阻挡离子注入
4. 场区注硼
250 A的SiO2防止隧道效应
注硼是为了提高场区的表面浓度，以提高场开启
5. 场区氧化，8500 A
氧化层是热生长形成的，此时硼将继续推进，Si3N4阻挡氧化。
由于Si:SiO2=0.44:1（体积比）
这种做法可以降低台阶高度，称为准等平面工艺
6. 去掉有源区的Si3N4和SiO2
Si3N4：用磷酸腐蚀 SiO2：用标准的光刻腐蚀液
7. 预栅氧
SiO2 层厚度250 A
为离子注入作准备
8. 调整阈电压注入（注硼）
目的：改变有源区表面的掺杂浓度，获得要求的阈电压
9. 去掉预栅氧
10. 栅氧化
SiO2 层厚度250 A
这一步需要单独做，必须生长高质量的氧化层
11. 淀积多晶硅，
Poly-Si，3800 A
扩磷，使多晶硅成为n+型（n+-Poly-Si）
12. 光刻Ⅱ
刻多晶硅，不去胶
13. 离子注入
源漏区注砷（As）,热退火
选择As作源漏区，是因为同一温度下，As的扩散系数比磷小，横向扩散距离小
到这一步，MOSFET已经形成，只是未引出电极
14. 去胶，低温淀积SiO2
15. 光刻Ⅲ刻引线孔
16. 蒸铝
17.光刻Ⅳ刻电极
概括的说就是先场氧，后栅氧，再淀多晶si，最后有源区注入
二次击穿产生的原因是由于材料光刻时形成的针孔、小岛、扩散形成的表面合金点等，造成PN结面不平整，局部呈尖峰状，称为管道。当外加反向电压后，首先在管道处发生击穿。由于管道截面积很小，所以电流上升缓慢，呈现大电阻特性。当电压继续升高，整个结面发生击穿，电流迅速上升，出现了第二次击穿。 查看原帖>>
