等离子去胶法，去胶气体为氧气。其工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加1500 V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱。活化氧（活泼的原子态氧）可以迅速地将聚酰亚胺膜氧化成为可挥发性气体，被机械泵抽走，这样就把硅片上的聚酰亚胺膜去除了。等离子去胶的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保
电介质等离子体刻蚀设备一般使用电容耦合等离子体平行板反应器。在平行电极反应器中，反应离子刻蚀腔体采用了阴极面积小，阳极面积大的不对称设计，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上。在射频电源所产生的热运动作用下带负电的自由电子因质量小、运动速度快，很快到达阴极；而正离子则由于质量大，速度慢不能在相同的时间内到达阴极, 从而使阴极附近形成了带负电的鞘层。正离子在鞘层的加速下，垂直轰击硅片表面，加快表面的化学反应及反应生成物的脱离，导致很高的刻蚀速率。离子轰击也使各向异性刻蚀得以实现等离子体去胶的原理和等离子体刻蚀的原理是一致的。不同的是反应气体的种类和等离子体的激发方式。
等离子清洗机的清洗原理是在真空腔体里，通过射频电源在一定的压力情况下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，以达到清洗目的。
在这种情况下，等离子处理可以产生以下效果：
1、灰化表面有机层
污染物在真空和瞬时高温下的部分蒸发，污染物被高能离子粉碎并被真空带走。
紫外辐射破坏污染物，由于等离子体处理每秒钟只能穿透几纳米，所以污染层不应该太厚。指纹也适用。
2、氧化物去除
这种处理包括使用氢或氢和氩的混合物。有时也采用两步流程。第一步是用氧气氧化表面5分钟，第二步是用氢和氩的混合物除去氧化层。它也可以同时用几种气体处理。
3、焊接
通常，印刷电路板应在焊接前用化学药剂处理。焊接后，这些化学物质必须用等离子体法去除，否则会引起腐蚀和其他问题。
扩展资料
等离子清洗/刻蚀机产生等离子体的装置是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长。
受电场作用，它们发生碰撞而形成等离子体，这些离子的活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的表面引起化学反应，不同气体的等离子体具有不同的化学性能，如氧气的等离子体具有很高的氧化性，能氧化光刻胶反应生成气体，从而达到清洗的效果；腐蚀性气体的等离子体具有很好的各向异性，这样就能满足刻蚀的需要。
利用等离子处理时会发出辉光，故称之为辉光放电处理。
等离子体清洗技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚酯、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。
百度百科-等离子清洗机
