每个单片机系统里都有晶振，全程是叫晶体震荡器，在单片机系统里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。
晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。
晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。
晶振一般采用电容三端式(考毕兹)
交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。
分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。
微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。
用万用表测量晶体振荡器是否工作的方法：测量两个引脚电压是否是芯片工作电压的一半，比如工作电压是51单片机的+5V则是否是2.5V左右。另外如果用镊子碰晶体另外一个脚，这个电压有明显变化，证明是起振了的。
晶振的类型有SMD和DIP型，即贴片和插脚型
F30027故障 --- 功率单元直流母线没能在期望时间内完成预充电。
3AC 380V~480V 900KW BLM整流模块和 3AC 500V~690V 1500KW BLM整流模块, 这两种BLM均采用了二极管整流桥, 预充电路为接触器+预充电阻。F30027故障可能的原因是:
1) 电源接触器/ 电源开关没有闭合。
2) 输入电压过低。
3) 输入电压设置错误(p0210)。
4) 预充电电阻过热，因为每单位时间的预充电过大。
5) 预充电电阻过热，因为在整流单元未准备就绪(r0863.0) 时就从直流母线连接获取电压。
6) 预充电电阻过热，因为在直流母线快速放电时通过制动模块关闭了电源接触器。
7) 在直流母线连接中有短路/ 接地。
8) 预充电电路可能有故障（只对于装机装柜设备）。
9) 整流模块损坏，或者电机模块内的熔断器动作（仅书本型设备）。
除了上面的两款BLM, 其余的BLM均为可控硅整流桥, 预充电也是由可控硅整流桥来完成, 可控硅的导通角可以控制预充电流的大小。F30027故障可能的原因是:
1) 电源接触器/ 电源开关没有闭合。
2) 输入电压过低。
3) 输入电压设置错误(p0210)。
4) 在直流母线连接中有短路/ 接地。
5) 预充电电路可能有故障（只对于装机装柜设备）。
6) 整流模块损坏，或者电机模块内的熔断器动作（仅书本型设备）
