功率二极管又称整流二极管，属于不可控器件
电气符号
A端为阳极，K端为阴极
外形
伏安特性
正向特性：电压小于门坎电压时，二极管只流过很小的电流；电压大于门坎电压时，电流急剧增加，呈现低阻态，管压降约0.6V。
反向特性：开始只有很小的漏电流，电压增大，电流增大，呈现高阻态；电压增加到超过Uro，漏电流击穿管子，呈现短路或开路状态。
主要参数
正向平均电流Ivd（额定电流）：长期允许通过的最大工频半波电流的平均值。
正向压降Uvd（管压降）：管子流过稳定正向电流时所对应的正向压降。
反向不重复峰值电压Ursm：器件反向伏安特性曲线的转折处。
反向重复峰值电压Urrm（额定电压）：管子能够重复施压的反向最高电压，Urrm = Ursm * 80%。
击穿电压Uro：反向击穿电压。
反向恢复时间：正向电流降至零起到恢复反向阻断能力为止的时间。
选型
额定电流原则：确定电路最大电流Ivdm，Ivd=(1.5~2)*(Ivdm/1.57)。
额定电压原则：确定电路最大反向电压Uvdm，Urrm = (2~3)*Uvdm。
主要类型
普通功率二极管：又称整流二极管，用于开关频率不高的整流电路中。反向恢复时间长，但额定电压和额定电流可以达到很高。
快恢复二极管：用于与可控开关配合的高频电路中。反向恢复时间短，可以达到5us。
肖特基二极管：用于高频、低压方面，如高频仪表和开关电源。优点是导通电压小、开关损耗小、开关时间短；缺点是反向漏电流大、阻断电压低。
仿真模型
路径
电路模型
输入输出
a：阳极 k：阴极 m：测量电流和电压[Iak， Vak]
参数
Ron：二极管器件内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。
Lon：二极管器件内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。
Vf：二极管器件的正向电压。二极管的门槛电压，只有当正向电压大于门槛电压，二极管才导通。
Ic：初始电流。设为非零时，内电感不能为0。
Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。
Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。
二极管反向特性是什么？
PG就是POWER-OK，或者叫POWER-GOOD，是24PIN的第八脚，灰线！PS-ON是开机信号！24PIN的第十六脚。PG输入主板:待机时为低电平,一般为0.7V或以下.触发开机后100MS-500MS升为高电平,一般为3V-4.7V之间.
二极管的特性就是单方向导电性。
在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
二极管的正向特性：
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2v,硅二极管约为0.6v)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3v,硅二极管约为0.7v),称为二极管的“正向压降”。
二极管反向特性：
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。
稳压二极管：稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。
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