二极管不是线性的元件，如果加的正向电压低于“死区电压”则不导通，当超过这个电压时，它就导通，相当于开关的闭合，但有个压降；这个压降的数值硅管为0．6～0．7，锗管为0．2～0．3V也就是死区的电压值。
二极管单向导电，电流只能从P区流向N区，或电流只能从正极流向负极，有正向导通门槛电压。
它正常工作时会产生相应的压降（同上），会耗散相应的功率。根据欧姆定律P＝UI假设硅二极管压降0．6V当它通过1A的电流时则会耗散0．6W的功率，所以在一些低压大电流的开关电源当中输出都会使用成本更高的场效应管同步整流，如果用普通整流二极管的话会严重拉低整机的工作效率。
它的工作压降与其温度成正比，也就是说它的工作温度越高压降也就会越大。
扩展资料：
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p－n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p－n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
二者没有明确的分界，正向电压稍高于开启电压。
二极管从
0v
开始加载正向电压，使二极管脱离死区，就是开启电压；随后二极管进入线性工作区，电压稍微增加一点，电流就增加很大，这个阶段的电压称为正向电压。再增加电压二极管就过流烧毁了。
