电容的计算公式也就是容抗：Xc=1/2πfC.工作电压为5V，电流为40MA得出r=125欧。把这个阻值带入上面的Xc,频率f根据你的电路取值。求出C即为你需要的电容
原理：电容通过你输入电压，极板进行充电!饱和后相当与开路，你现在需要一个可以避免短暂的黑暗使LED工作，这样这个电容就会充当供电电压来保证光藕阻值不发生变化。
逻辑门电路有哪些特性和参数,并给出参数的定义
G参数矩阵：I1＝U1/R1＋(U1－U2)/R2，I2＝U2/R3＋(U2－U1)/R2，故，G＝［1/R1＋1/R2 ，－1/R2，－1/R2，1/R2＋1/R3］。R参数矩阵：G^(-1)
主要有以下参数: 1、工作电源上下限 2、输入高低电平上下限 3、输出高低电平上下限 4、输入阻抗 5、输出阻抗。CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。MOS管主要参数1、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3、漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。
