推挽两个MOS,损耗就小了呀,全桥还有个直通问题,为了避免这个问题,你死区是不是要搞大?时间利用率就低呀,效率就更低了。用于低压的重要原因就是,你损耗要很小,效率要很高,你才可以吧电源的功尽量压榨到负载,所以用了推挽在低压上,全桥用在大功率是因为变压器只有两组线圈,功率大,你用铜肯定多,体积就大了,你如果选推挽要三组线圈呢,多浪费。而且全桥比半桥不用加隔离电容,不受电容限制。谢谢,希望同行发现有误请严厉指正纠错。



推挽两个MOS,损耗就小了呀,全桥还有个直通问题,为了避免这个问题,你死区是不是要搞大?时间利用率就低呀,效率就更低了。用于低压的重要原因就是,你损耗要很小,效率要很高,你才可以吧电源的功尽量压榨到负载,所以用了推挽在低压上,全桥用在大功率是因为变压器只有两组线圈,功率大,你用铜肯定多,体积就大了,你如果选推挽要三组线圈呢,多浪费。而且全桥比半桥不用加隔离电容,不受电容限制。谢谢,希望同行发现有误请严厉指正纠错。

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