这个问题，看似复杂，但是看穿了压根就是3-2=1的简单问题。
三极管三个电极，找到输入、输出两个极，剩下第三极就是共用的电极。
按照这个方法，可以快速区别BJT放大电路的共射、共集、共基三种组态：
信号若从BJT基极B输入，从集电极C输出，则剩下发射极E自然是输入信号与输出电压共用的电极，叫做共发射极组态，简称共发或共射组态；
信号若从BJT基极B输入，从发射极E输出，则剩下集电极C自然是输入信号与输出电压共用的电极，叫做共集电极组态，简称共集组态；
信号若从BJT发射极E输入，从集电极C输出，则剩下基极B自然是输入信号与输出电压共用的电极，叫做共基极组态，简称共基组态。
共射组态电压放大能力及电流放大能力兼有，主要做电压放大；
共集组态只能放大电流，输入电阻大、输出电阻小，能将信号源高内阻变换为小电阻，为下级电压放大创造条件；
共基组态只能放大电压，高频性能好，用于要求频带宽的场所。
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
