跟具体的电子元件，以及击穿电压有关系。
以1N400系列整流二极管为例。
如图：
图中用红框框起来的两个项目分别为交流反向击穿电压，和直流反向击穿电压，可以看到1N4001反向击穿电压最小为50V，而1N4007为1000V。
以NPN三极管ZTX651为例，图如下：
Vcbo电压为80V，意为集电极-基极击穿电压为80V，Vceo电压为80V，意即为集电极-发射极击穿电压60V，也就是这个三极管的耐压值。
Vebo意为发射极-基极反向击穿电压，为7V。
而NPN三极管ZTX650与上边的三极管的这三项参数又有不同。
PNP三极管的话，各项数值均为负值，如ZTX751例：
MOS管的参数和二极管，三极管的表示方法又不一样，并且不同的MOS管，各项参数也不一样。
