二极管并联在负载上，利用二极管的稳压作用，当二极管反向接通时，在二极管被击穿的情况下，其电流将瞬间增大，在外电压增大时，由于电流从被击穿的二极管上通过，而不会经过与二极管并联的负载上，从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管，即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在 4V-7V.
该电路中二极管反向并联在电感性质的负载上，电感的特性就是流经电感线圈的电流不能突变，如果突然切断电感线圈的电流，电感本身就会产生一个很强的电动势，它会击穿试图阻断电流的开关造成不能断电，烧毁半导体开关，这个二极管就是为这个电动势提供一个泄放的通路，由于电动势的方向与电源的方向相反，所以叫做反向电动势，二极管也是反向接入的。有了它，电动势就不会太高了，保护了半导体开关从而保护了其他元器件不至于损坏。
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。半导体二极管在电路中的使用能够起到保护电路，延长电路寿命等作用。
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
