解：在端口ab加电压U（相量），三条支路的电流相量如图所示。
根据电流方向，互感电路解耦后的等效电路如上图所示。
——为书写简洁，以下直接用字母代表相量。
KVL：jωLI1+jωMI-jωMI2=jωLI2-jωMI1。
2I1+I-I2=2I2-I1，3I1-3I2+I=0。
KCL：I1+I2=I。
综合两个方程，消去I2：I1=I/3。
消去I1：I2=2I/3。
总的KVL方程：U=jωMI1+jωLI+jωLI2-jωMI1= jωLI+jωLI2=j2ωI+j4ωI/3=（j10ω/3）I。
Zab=U/I=j10ω/3。
Lab=Zab/jω=10/3（H）。
将两个或两个以上的电路连接起来并使之相互影响的方法，称为耦合。这种连接而成的网络称为耦合电路。
常见的耦合方式有阻容耦合，变压器耦合，直流耦合和交流耦合。
去耦专指去除芯片电源管脚上的噪声,该噪声是芯片本省工作产生的。
在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
