微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟
瞬态Χ射线、X射线脉冲辐照,会使器件的电性能发生瞬间变化。由于电离效应,在器件中会产生光电流。光电流的产生给电子系统引入附加信号使其功能改变,严重者可使器件的引线烧毁造成永久性破坏。光电流的大小与射线的强度、脉冲持续时间、器件种类、偏置高低和负载大小等因素有关。因此抗瞬态辐射加固是电子系统抗辐射加固研究中的重要组成部分。
光电流由漂移电流和扩散电流两部分构成。漂移电流与偏置场强有关;扩散电流与扩散长度和少子寿命有关。Wirth和Rogers在1964年提出了光电流的一维解析模型。包括耗尽区中产生的光电流瞬时分量漂移电流和PN结两侧一个少数载流子扩散长度内产生的光电流延迟分量。
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