为了避免IGBT 发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT 的最大工作电流应不超过IGBT 的IDM 值，同时注意可适当加大驱动电阻RG 的办法延长关断时间，减小IGBT 的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT 的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT 必须加负偏压，IGBT 生产厂家一般推荐加-5V 左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V 之间，漏极电流可在5～10μs 内超过额定电流的4～10 倍，所以驱动IGBT 必须设计负偏压。由于UPS 负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS 设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT 厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT 的集电极电压进行检测，如果IGBT 发生过电流，内部电路进行关闭驱动。
短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce 超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT 由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us 连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt 损坏IGBT，另外根据最新三菱公司IGBT 资料，三菱推出的F 系列IGBT 的均内含过流限流电路（RTC circuit），当发生过电流，10us 内将IGBT 的启动电压减为9V，配合M57160AL 驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。
防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感；适当增加IGBT 驱动电阻Rg 使开关速度减慢（但开关损耗也增加了）；设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。
在UPS 中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间（即共同不导通时间）。如果发生共导，IGBT 会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。
可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。
很多产品的问题其实可以去厂家的网站上看看，厂家有产品有时候也会有解决方案
用变压器加整流桥做个简单的12V100A输出的直流电源，开关一打开就就有21V的尖峰电压，这个怎么减小到18V？
开关电源初级尖峰电压要看具体情况。尖峰电流的产生：其中一个方面是开关变压器的漏感太大了。另外检测变压器的抗饱和能力。比如：初级工作电流多大，就给变压器初级加等同的电流值（或者略大的电流值）测试初级电感的衰减值。基本可以检测变压器的抗饱和能力。
可能是辐射干扰，是应为示波器探头造成的，周围可能有可控硅调角设备，或没带功率校正的使用220V转直流设备。
直接短路探头，调整衰减，同步，看有没有尖峰
可能是共模干扰，
一般在滤波电容不会有尖峰。可耳机串一个电容看有没有交流声，注意接法，不要让电容冲击电流伤害耳机。
刚看到你是近1000W负载，是否铁心饱和造成尖峰？可减低负载一试，
可加电感一试，但100A负载，电感不好做
可并TVS一试，但电压可能没那么准，
我们那的老化室，原来用简单整流电源，后为提高质量，改为具有功率因数校正的开关电源。
根据你的追问，看来不像干扰，可看变压器输出波形，可能已经不是正弦波，输入做一个电流互感器，看输入电流波形，可能已经不是简单的脉冲波形。
找到原因，再解决
仅供参考
