稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的。
1、稳压管的参数
稳压管
（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
（4）动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz=△VZ/△IZ
（5）稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ|＞7V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
众所周知，稳压二极管是在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。这句话透露了两个意思：
稳压二极管要反向接入电路
必须在一定范围内（达到Iz）工作才能稳压
这时候就必须了解下稳压二极管的主要参数：
Vz— 稳定电压。指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。
Iz— 稳定电流。指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
Rz— 动态电阻。指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般胜作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。
Pz— 额定功耗。由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。
Ctv— 电压温度系数。是说明稳定电压值受温度影响的参数。
IR— 反向漏电流。指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。
这里主要关注三个参数 Vz、Iz、Pz，这个在数据手册中都能查到，这里我们拿1N4728A举例，该管Vz=3.3V，Iz=76ma，Pz=1000mw。
好不容易找到的Vz-Iz图，由图可见当电流为76ma时，电压大约是3.3V，当电流继续增大，V变化很小。?
所以对于这个管子，如果想利用它将电压稳定到3.3V，对电流I要求是76ma=<I<<Imax，Imax=1000/3.3=303ma，如果低于这个值也是可以的，但是电压也会略有下降,但是低太多也不行，如果I只有10ma，那么电压输出就非常低了；Imax只是理论最大电流值，实际使用要低于这个值；其次加到管子上的电压必须大于Vz也就是3.3V，太小则未到击穿状态。
如上电路Vin=10.943V，I=73.138ma，可见Vout=3.299V，由于I未达到要求的Iz=76ma，所以Vout略小于3.3V，但是也是可以接受的。
所以，稳压二极管并非很简单的就能实现“稳压”，它对输入电压(也可以说输入电流)的要求比较高，而且电流也不能太大，条件很苛刻，多数情况下它只是作为保护作用，如单片机IO口加3.3V（或5V）稳压二极管防止浪涌电压，如果是5转3.3V，建议还是LDO，但是如果你对电流要求不高（200ma以内），还是可以用稳压二极管加一个保持电容实现的。
稳压二极管 EDZVT2R30B 的参数
额定齐纳电压：30.69V
二极管配置：单路
安装类型：表面贴装
每片芯片元件数目：1
最大功率耗散：150 mW
封装类型：SOD-523
齐纳类型：稳压器
引脚数目：2
测试电流：2mA
最大齐纳阻抗：200Ω
最大反向漏电流：100nA
长度：1.25mm
尺寸：1.25 x 0.85 x 0.7mm
宽度：0.85mm
高度：0.7mm
最高工作温度：+150 °C
功率耗散：150mW
工作温度-55°C ~ 150°C
封装/外壳表面贴装
封装/外壳SC-79，SOD-523
齐纳电压Vz30V
偏差±3%
功率耗散Pd150mW
齐纳阻抗Zz200 Ohm
反向漏电流Ir100nA @ 23V
