首先，这是一个共发射极电路，这个图能够实现工作点稳定的关键，就在于：
1）使用RB1和RB2两个电阻分压(RB1=R+Rp)，而Vcc固定不变，实现了UB的电位固定。
2）发射极接入电阻RE,实现了自适应调节。
具体解释：
1) 这里，我们需要假定（其实实际情况也基本如此）基极电流IBQ远远小于从Ucc流向RB1->RB2->地 的电流， 这样，基极电位UBQ就会近似的等于RB2/(RB1+RB2)*Ucc，从而实现了UB电位固定。
2）说一下为什么温度升高会使Icq增大：半导体的载流子温度高了热运动加剧，能量大了移动快，单位时间内流过同样截面积的载流子就多了（即电流强度增大），也可以理解为势垒减小了，所以同等条件下Icq大了。
现在Icq增大了，由于共发射极的Ieq = Icq+Ibq (其中Icq是最主要的成分)，所以Ieq也会增大，这会导致U（RE）=Ieq*RE 的增大，由1）里的说明，UB电位是固定的常量，那么加在发射极PN节上的电压UBEQ=UB-U（RE）就会减小。
现在UBEQ减小了，这个PN节流过的电流的变化会服从二极管伏安特性曲线，电压减小，电流减小，所以UBEQ的减小会使得IBQ减小。
由于ICQ = beta * IBQ, beta不变，那么ICQ也会跟着减小，从而抵消了由于温度升高导致的ICQ增大
这里，温度影响只是一方面，其他条件也有可能导致ICQ增大，这个电路都可以通过以上两点，阻碍ICQ的增大，使得电路工作点稳定。
