不同。
电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。这些热会使电介质升温并可能引起热击穿，因此，在电绝缘技术中，特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因数(即电介质损耗角正切tgδ，是电介质损耗与该电介质无功功率之比)较低的材料。
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注意事项：
由于电子的质量比原子核小得多，可以近似地把原子核看成固定不动的，所以当电磁场 作用于一个分子时，只要考虑电场对分子中电子云的作用。为了确定极化率和折射率与电磁场频率的相关性，要求得电子云中心在电场作用下相对其平衡位置的位移。
在电场作用下，要严格确定电子云的位移，是一个复杂的量子力学问题，然而量子理论指出，在分子内由于受电场力和库仑力的作用，电子云的运动与简谐振子的运动是相似的，亦即电子云将以其平衡位置为中心作受迫的简谐振动。
-直流电压
-交流电压
-电介质损耗
介质损耗正切角：表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。
δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。
介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。
介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数，为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。
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原理：
材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征，其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比 。
作用：
在实际工程应用中，介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点：
（1）tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到；
（2）tanδ值与测量样品的大小和形状都无关，是电介质自身的属性，并且在许多情况下，tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。
——介质损耗
