先放结论：可以。
这几天在看MOS管的工作原理，看了那么多经典应用电路，一直的疑问是在设计电路时，源漏极到底如何接？这个问题导致我一直没有下笔写关于MOS管的理解。现在先解答一下，源漏极连接及能否反接这个问题，主要以增强型NMOS管为例，或许会挂上PMOS管。
1.源漏极定义
(1)如图，NMOS管有4个极组成。其中，P型半导体作为衬底，用B表示；在衬底上方用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层(**)；扩散两个高掺杂的N型区，从而形成两个PN结（绿色部分），这两个PN节构成NMOS管的寄生二极管，又称体二极管，背对背；从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S；在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G，由于绝缘，和S、D极及衬底之间永远不可能产生电流。
(2)那么，像图中所示，两个N型区，到底哪个是源极，哪个是漏极呢？讲道理，这两个N型区完全对称，谁做源极谁做漏极都可以的。这里有一个判断标准：两个N型区中，和衬底相连的是源级,另一端是漏极，这是由MOS管的工作原理决定的。所以，源极和漏极并不是事先定义好的，而是根据实际元件中，和衬底B极的连接关系决定的。
2.漏源电压 能否反接呢？
这个问题围困了我一周。因为看NMOS管的输出特性曲线和转移特性曲线(输入特性曲线)如下图：
UDS反接也就是输出特性曲线图的第三象限应该是什么样子？
当NMOS管的控制电压(栅源电压) >开启电压 (2V以上)时，在D、S之间会形成反型层(又称作导电沟道，因沟道的导电离子极性与衬底的多子极性相反而被称为反型层)。当D、S之间没有电压即 =0时，是不会产生漏源电流 的(如上图左)。只有 >0时，即电动势 > 时才会产生电流 >0，电流从D流向S。
衬底和源极连接， > 且 >0的情况下(正确的工作模式)，NMOS工作原理如下图：
那么，在 > ，已形成反型层的情况下，当 <0即电动势 < 时，这种接法对NMOS而言是否可行呢？
按道理讲， 衬底内当DS之间的反型层建立 ，只要在DS之间加电压，就可以产生电流 。如果 > ，电流D→S，反之电流方向S→D。这个理解是对的。
(1)从第一个角度来理解。源(Source)极是源头，是能发射或源源不断产生电子多数载流子的一极(在NMOS管中，D、S区的多子就是电子)，漏(Drain)极是损失或中和掉多数载流子的一极。所以，在NMOS管正常工作时，多子(电子)应该是从源极到漏极(而不能反过来)，对应的电流就是从漏极到源极，此时对应的电压就应该是 >0。这是从源漏极字面的意思理解。
(2)从第二个角度来理解。源极和衬底B极是短在一起的，两个地方电动势相等，看作0位；当 > 时，源极电子和B极少子共同形成反型层，当 >0时，如上面(1)所述，反型层能正常导电；当 <0时(将上图的 正负调换方向后)，初始阶段电流可以从S→D(电子从D→S，毕竟暂时形成的反型层还存在)，但是随着时间延长，源极发射的电子不会朝漏极方向涌动，而是朝 电源的正端涌动，此时反型层会因源极提供的电子减少而消失，而漏极因为与衬底不短接，即使能产生电子也无法传递到衬底层，所以反型层导电沟道彻底消失。此时DS之间只会剩衬底B到漏极D之间的一个寄生二极管，所以当DS之间电源接反时， 电源之间相当于接了一个普通二极管，只有管压降。所以，DS之间的电压也应该是 >0。(这个理解不知道准不准确，还请读者反馈想法，共同讨论)
20200403更新:
感谢@青岛芒果评论。
第二个角度的理解有误：
（1）反型层即N沟道形成用到的电子不是由源极提供，而是衬底少子提供的；
（2）N沟道是自由电子组成，所以可导电。形成电流时用到的电子是由半导体D或者S极提供的多子提供，“源”和“漏”的定义是基于常规UDS》0而言的，当UDS《0时，显然形成电流所需的电子可由“漏”极提供补充。“源”和“漏”不是绝对的。
（3）只要UGS》UGSth，衬底中N沟道将一直存在，此时S端电势高，D端电势低，楔形沟道为左窄右宽。由于，UGS》UGSth，所以不会产生夹断，MOS管此时将一直处于可变电阻区。个人认为不会有饱和区和击穿区，大家可以在评论区留言讨论。
（4）输出曲线第三象限与第一象限不对称。
（5）综上，增强型NMOS的D和S之间的电压是可以反接的，即UDS《0是可以的，推翻第一和第二个角度的讨论。
提出源漏极能否反接这个问题源于读到的一个公众号文章：
常用极性反接保护电路
这篇文章中重点讲述了利用MOS管进行极性反接保护（需要将文章中的耗尽型MOS管改为增强型NMOS和PMOS才对）。显然，如文章中，两个MOS管在电路中都反接了（NMOS管的 <0），这与我的认知相悖，所以才想到认真思考这个问题，并且我利用Cadence进行了仿真，仿真结果如下图：
从仿真结果来看，即使接反了，电路仍然成立。
上面NMOS管处电流方向就是从S→D的，电流显示为负值的原因很可能是：对于NMOS管，默认正的电流方向是D→S，而在上面电路中电流方向是S→D，所以电流仿真结果标识为负号；
稳压二极管是确保UGS之间的电压；
最后经过NMOS的电流是三个之路的电流之和；
采用NMOS防反接原因：N沟道的形成使压降小，功耗低。
综上所述：
MOS管的源漏极是可以反接的。即：
对于增强型NMOS管而言： >0可以， <0也可以。
对于增强型PMOS管而言，上述结论也成立。
为此问题，我开了一个帖子，里面有相关问答，感兴趣的可以参与讨论：
NMOS管进行极性反接保护的几个疑问
开帖子之前结论暂留：
1)对NMOS管而言，要想正常工作，就应该有： > (2V以上)>0且 >0，即DS之间电源不要反接；
2)若 <0，那么NMOS管是无法正常工作的，只相当于在 之间接了一个普通二极管，如果电流过大，可能会损坏NMOS管；
3)从1)所述的NMOS正常工作模式看出：S极的电位最低，往往接地。
注：PMOS管理解与此相似，其正常工作模式为： < <0且 <0；PMOS管正常工作模式看出S极的电位最高，往往接电源。这就解释了为什么很多博文中写道：NMOS管的源极往往接地，PMOS管的源极往往接Vcc。
参考(链接2有S与B不短接情形说明)：
MOS管的源级漏极区别
nMOS晶体管导通时，为什么电流是从源极流到漏极，而不是漏极流到源极？
MOS管漏极与源极的电压反接有什么用
MOS 场效应晶体管
场效应管寄生二极管
电源电压vdd和源漏极电压vds有什么区别
场效应管源极和漏极有3点本质区别：
一、两者的结构原理不同：
1、源极的结构原理：一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
2、漏极的结构原理：在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
二、两者的特点不同：
1、源极的特点：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2、漏极的特点：可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，?或驱动比芯片电源电压高的负载。?
三、两者的作用不同：
1、源极的作用：共射极放大电路类似，共源极放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，故被称为反相电压放大器；共源极放大电路的输入电阻很高，输出电阻主要由漏极电阻Rd决定。适用于作多级放大电路的输入级或中间级。
2、漏极的作用：由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。?
-源极
-漏极
对于单端正激电路，VDS和你设计过程中所采用的最大工作占空比有关系。因为要考虑变压器磁通平衡。所以去磁的伏秒积要等于激磁的伏秒积。那么(VDS-VIN)*(1-Dmax)=VIN*Dmax这是理论上的VDS最小值。实际的电路中，因为变压器存在漏感，VDS的值会比这个更高。对于双端正激电路，因为电路结构的箝位设计，VDS理论上的就是等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。
