先贴一张李福乐老师的PPT来说明一下bandgap的工作原理，运放在此处的功能就是提供两个相等的电位Vp=Vn
电路有两种稳定状态，分别是两路电流大于零且相等和都等于零。电路上电，负反馈强于正反馈时，vp-vn<0，运放输出低电位0，M1,2导通，电路正常工作;正反馈强于负反馈时， vp-vn>0，运放输出高电位1，M1,2截止则M1,2漏极以下电位都为0（=VSS），此为电路的另一个稳定状态-零电流状态。所以bandgap必须要有启动电路保证电路上电时负反馈强于正反馈，从而可靠启动。
运放输出电位0和电位1的个人理解：运放未失调时Vo=Vb1+A*（vp-vn）,Vb1为大信号，是直流偏置；vp-vn为小信号，小于0时拉低Vb1到最低点位0，大于0时抬高b1到最高电位1。
为什么实际工艺电路都用mos管而不用双极型管
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
新型电子器件
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。
光电器件
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。
氮化镓龙头上市公司主要有海特高新、台基股份、亚光科技、三安光电、闻泰科技、士兰微、耐威科技、海陆重工、富满电子、云南锗业、有研新材、乾照光电等。股民可以通过券商、证券交易软件等渠道投资以上相关公司股票。
利用其输入电阻大的特点, 便于多级应用。
实际工艺并不是一点双极型的都不用，因为它有一些特殊性质还会在电路里出现，比如bandgap都会用双极型管子产生于温度有相关性的电流等等。
另外用双极型管子做buffer的线性度要好很多，所以很多高精度模拟电路里还是会用到不少双极型管子。数字电路里基本上见不到了，因为双极型管子集成度不高，而且有静态功耗。
双极型晶体管
是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。
