晶体管的发射结正向压降与发射结的势垒高度直接有关，势垒越低，电压就越小。
当温度升高时，半导体的Fermi能级都要向禁带中央移动，同时禁带宽度也变窄。而晶体管发射结的势垒高度是等于p型和n型半导体的Fermi能级之差，则随着温度的升高，势垒高度降低，从而导致发射结的正向压降减小。
温度升高为什么会导致晶体管基集与发射集电压减小
核心提示晶体管的发射结正向压降与发射结的势垒高度直接有关，势垒越低，电压就越小。当温度升高时，半导体的Fermi能级都要向禁带中央移动，同时禁带宽度也变窄。而晶体管发射结的势垒高度是等于p型和n型半导体的Fermi能级之差，则随着温度的升高，势垒高
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