一般制造商会给出
MOSFET开启电压的阈值大概在2---4伏之间，有些的P沟通的管子开启电压Z在—3----—5v之间，你是要测得它的具体的开启电压，还是测得管子工作时的VGS呢，如果测开启电压你就慢慢在栅极加电压，使得ID迅速增大的点电压既是，一般ID会从几十或几百μ安培一下增加到几十毫安或几安培的。。。。。如果你要测得管子工作时的电压的话，要分两块，一个是静态的，一个是动态的，静态的是指，直流电压，每一个直流电压对应一个ID这个关系可以在MOSFET的输出特性上找到，而动态的是指交流电压的影响，这个和MOSFET的电导gfs有关的，要区分分看的。
